IC設計反向工程突破 - 新x光斷層掃描讓晶片祕密無所遁形 - 工程師
By Olive
at 2019-10-11T03:22
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Table of Contents
來源: IEEE Spectrum
連結: http://t.ly/eY7Vr
x光斷層掃描讓晶片祕密無所遁形
2019-10-7 15:00GMT
by Samuel K. Moore
瑞士與美國團隊有非破壞性方式
對 IC 晶片進行反向工程
重點節錄:
●此技術 聲像x光斷層掃描(ptychorgraphic X-ray laminography,PXL)
成功對 iPhone 處理器 A12 進行反向工程,目前解析度對 16nm 工藝相容
未來對 7nm 工藝也沒有問題
●文中是第二代技術,對更高解析度和更快掃描,需更強的 x光光源,
預計第三代和第四代 PXL 將使用同步輻射產生的 x-光,接下來五年內可實現
●過程:打磨晶片至 20 微米厚,放上61度角傾斜的台子上,
對 300 x 300 micron 的晶片需 30 小時的初步掃描;接著將範圍縮小至 40 um直徑
進行高解析度 3D 掃描,需 60 小時
●對整塊晶片進行反向工程並不切實際,目前應用方向是讓晶片設計商驗證局部電路製程是否
符合設計,或對不明晶片的部份區塊掃描是否有植入後門電路
圖:
https://spectrum.ieee.org/image/MzM4ODI1OA.jpeg
詳細技術:
Nature Electronics
http://t.ly/5YxJb
短評:
有趣了 台灣有不錯的同步輻射光源 應了解一下相關技術
對晶片製造和設計都會有所幫助
--
連結: http://t.ly/eY7Vr
x光斷層掃描讓晶片祕密無所遁形
2019-10-7 15:00GMT
by Samuel K. Moore
瑞士與美國團隊有非破壞性方式
對 IC 晶片進行反向工程
重點節錄:
●此技術 聲像x光斷層掃描(ptychorgraphic X-ray laminography,PXL)
成功對 iPhone 處理器 A12 進行反向工程,目前解析度對 16nm 工藝相容
未來對 7nm 工藝也沒有問題
●文中是第二代技術,對更高解析度和更快掃描,需更強的 x光光源,
預計第三代和第四代 PXL 將使用同步輻射產生的 x-光,接下來五年內可實現
●過程:打磨晶片至 20 微米厚,放上61度角傾斜的台子上,
對 300 x 300 micron 的晶片需 30 小時的初步掃描;接著將範圍縮小至 40 um直徑
進行高解析度 3D 掃描,需 60 小時
●對整塊晶片進行反向工程並不切實際,目前應用方向是讓晶片設計商驗證局部電路製程是否
符合設計,或對不明晶片的部份區塊掃描是否有植入後門電路
圖:
https://spectrum.ieee.org/image/MzM4ODI1OA.jpeg
詳細技術:
Nature Electronics
http://t.ly/5YxJb
短評:
有趣了 台灣有不錯的同步輻射光源 應了解一下相關技術
對晶片製造和設計都會有所幫助
--
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By Joseph
at 2019-10-16T00:32
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By Joseph
at 2019-10-20T06:19
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By Zora
at 2019-11-20T18:59
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at 2019-11-26T09:53
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By Caroline
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at 2019-12-24T18:58
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By Quanna
at 2019-12-25T02:39
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at 2019-10-10T22:47
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