KLA推電子束圖案化晶圓缺陷檢測 - 工程師

看準台積電大幅採用 EUV，科磊推電子束圖案化晶圓缺陷檢測

https://technews.tw/2020/07/21/kla-esl10/

就在晶圓代工龍頭台積電已經進入 5 奈米製程量產，並且大量採用極紫外光刻設備（EUV
）的情況下，美商半導體設備商科磊（KLA）於 21 日宣布，推出革命性的 eSL10 電子束
圖案化晶圓缺陷檢測系統。透過該項新的檢測系統，可以發現相關光學或其他電子束缺陷
檢測系統無法穩定偵測的缺陷，藉此以加快高性能邏輯和記憶體晶片，其中包括那些依賴
於極紫外光刻（EUV） 技術的晶片的上市時間。

科磊指出，過去的電子束檢測系統僅能提供使用者選擇偵測供靈敏度或速度，這嚴重限制
了其實際應用。而 eSL10 採用全新設計，採用了多年研發的多項突破性技術，可提供高
解析和高速的缺陷檢測，其性能是市場中任何其他電子束系統都無法比擬的。如此，可以
解決現有檢測儀無法解決的問題，這也使得科磊的新型電子束檢測儀成為尖端半導體零件
製造生產中至關重要的設備之一。

科磊進一步解釋，eSL10 電子束檢測系統採用多項革命性技術，使其有能力填補目前關鍵
缺陷檢測的空白。例如，獨特的電子光學設計可提供業內最廣泛的操作範圍，可捕獲各種
設備製程中的缺陷。還有，Yellowstone 掃描模式，在每次掃描中收集 100 億畫素的資
料並支持高速運算同時又不會影響解析度，這樣可以在廣闊的區域內有效地計算偵測可疑
熱點或發現缺陷。

另外，Simul-6 感測器技術通過一次掃描即可收集表面、形貌、材料對比度和溝槽深度等
資訊，減少了在具有挑戰性的結構和材料中識別不同缺陷類型所需的時間。而憑藉其搭配
的先進人工智慧（AI）系統，eSL10 能採用深度學習演算法，針對 IC 製造商不斷發展的
檢測要求進行調整，並將產品性能最關鍵的缺陷分離出來。

至於，在當前的 3D 產品架構中，包括用於記憶體的 3D NAND 和 DRAM，以及用於邏輯的
finFET 和閘極全環 （GAA） 晶體管，都使得晶圓廠需要重新考慮傳統的缺陷控制策略
。而 eSL10 與科磊的 39xx（Gen5）和 29xx（Gen4）頻寬光學晶片缺陷檢測系統相結合
，為先進 IC 技術提供了缺陷檢測和監控解決方案。藉由這些系統組合，使用者將可以提
高良率和可靠性、更快發現關鍵缺陷，並能夠更快地解決從研發到生產的缺陷問題。

另外，科磊還強調，eSL10 架構內置可擴充性，可以在整個電子束檢測和量測領域內延伸
其應用。而目前全球已有邏輯、記憶體和代工製造商採用 eSL10 系統，並用於協助開發
、提升和監測新一代製程和產品製造。

果然！量測還是KLA獨大！


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