※ 引述《zcliu026 (中港阿志)》之銘言：
: 剛好翻到這篇舊文 裡面有些預測現在看起來似乎有點失準
: 例如文中提到2022年 CMOS的發展就會走到物理極限11nm
: 不過現在看來這個所謂的"物理極限" 很有可能在明年就可以達到
: 而且還很有機會在往下走XD
: 沒有要吐槽原po的意思 畢竟以當時的觀點來看 原po說的其實算中肯
: 只是沒料到科技的發展如此神速 一切都讓人始料未及
: 有沒有專業的大大要評論一下的
zcliu026大您誤會了
ITRS 所說的 11 nm 是 "Physical gate length"，
就是晶片切開來看到的真實寬度，
你提到要量產的 10 nm，只是個名字，
或者說是 "drawn gate length"，電路設計時讓你畫爽的...
網路查一下，就會看到 Intel 22 nm 產品，
gate pitch 是 90 nm，gate length 是 30 nm，(咦?)
22 nm 既不是 half-pitch，也不是 gate length，
只是個名字......。
事實上，gate 微縮的物理與製程問題都已經遇到了，
因此各家的 gate length 不一定照著摩爾定律縮，(每代0.7x)
甚至連 gate pitch 都沒乖乖縮，
真正照摩爾定律縮的，只有你看到名字而已。
所以，要做工程相關的討論，
還是要看真正的gate length才準。
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: 剛好翻到這篇舊文 裡面有些預測現在看起來似乎有點失準
: 例如文中提到2022年 CMOS的發展就會走到物理極限11nm
: 不過現在看來這個所謂的"物理極限" 很有可能在明年就可以達到
: 而且還很有機會在往下走XD
: 沒有要吐槽原po的意思 畢竟以當時的觀點來看 原po說的其實算中肯
: 只是沒料到科技的發展如此神速 一切都讓人始料未及
: 有沒有專業的大大要評論一下的
zcliu026大您誤會了
ITRS 所說的 11 nm 是 "Physical gate length"，
就是晶片切開來看到的真實寬度，
你提到要量產的 10 nm，只是個名字，
或者說是 "drawn gate length"，電路設計時讓你畫爽的...
網路查一下，就會看到 Intel 22 nm 產品，
gate pitch 是 90 nm，gate length 是 30 nm，(咦?)
22 nm 既不是 half-pitch，也不是 gate length，
只是個名字......。
事實上，gate 微縮的物理與製程問題都已經遇到了，
因此各家的 gate length 不一定照著摩爾定律縮，(每代0.7x)
甚至連 gate pitch 都沒乖乖縮，
真正照摩爾定律縮的，只有你看到名字而已。
所以，要做工程相關的討論，
還是要看真正的gate length才準。
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