SK海力士HBM2E DRAM高頻寬記憶體，預計20 - 工程師

SK海力士HBM2E DRAM高頻寬記憶體，預計2020年量產

http://bit.ly/2H62cCp

SK海力士(SK Hynix) 於2019年8月12日宣布，已開發出HBM2E DRAM，這是一種高頻寬記憶體(high-bandwidth memory semiconductor)，可用於人工智慧（AI）裝置和超級電腦(supercomputers)。

SK Hynix表示，該款新晶片超過每秒460 GB，基於每個引腳(pin)的每秒3.6Gb性能和1,024個數據I / O，這比該公司一年前開發的HBM2 DRAM高出50％。

該晶片製造採用“穿矽通孔”（TSV：through-silicon via）技術以垂直堆疊8個16 Gb晶片，並封裝出16 GB記憶存儲器。SK海力士預計於2020年開始批量生產新HBM2E DRAM晶片。

新的HBM2E DRAM晶片產品主要應用於需要高速、高性能的記憶存儲器，例如：圖形處理卡、超級電腦、AI半導體及伺服器。

SK海力士2019年第二季的DRAM銷售額為42.6億美元，佔全球市場的28.7％。

根據維基百科，高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory，HBM）是三星電子、超微半導體和SK海力士發起的一種基於3D堆疊製程的高效能DRAM，適用於高記憶體頻寬需求的應用，像是圖形處理器、網路交換及轉發裝置（如路由器、交換器）等。第一代高頻寬記憶體2013年10月正式被JEDEC採納為業界標準。第二代高頻寬記憶體（HBM2）於2016年1月被JEDEC採納。例如，NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也採用了第二代高頻寬記憶體。

--