三星叫陣台積 全力衝刺3奈米 - 工程師

三星14日宣布，將在2021年推出突破性的3奈米製程「環繞式閘極結構」（

Gate-All-Around，GAA）技術，具備速度更快、更輕薄短小、耗電更低等優勢。三星並宣

稱，在GAA技術領先台積電一年。




業界認為，三星半導體事業近期面臨DRAM與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）兩大產品市

況低迷問題，亟需對外加大力度宣傳其半導體事業競爭力，此次高分貝宣傳其晶圓代工技

術，力槓台積電，也意味兩強的先進製程戰火進一步延燒。





事實上，台積電3奈米製程也正如火如荼規劃中，其3奈米投資計畫在去年底通過環差變更

審查後，已啟動在南科晶圓18廠的第四到六期新廠興建。




台積電3奈米計畫主要在南科的晶圓18廠，台積電內部將5奈米和3奈米視為同一計畫，全

數集中在晶圓18廠，目前也調派菁英部隊，全力督軍建廠工程，台積電甚至在竹部成立研

發中心，全力投注3奈米及以下先進制程，估計台積電從5奈米到3奈米製程，投資總額即

超過1.5兆元，帶動的群聚效應更是驚人。





依照台積電創辦人張忠謀在主持晶圓18廠時提出的完工藍圖，3奈米應可在2021年試產、

2022年量產，成為全球第一家提供晶圓代工服務，同時解決很多AI人工智慧晶片功效更強

大的晶圓代工廠，讓全球半導體產業跨足新紀元。






科技網站CNET報導，三星在加州舉行的三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum）上

表示，GAA技術將是三星與台積電、英特爾競爭中的重要一步，重新設計晶片核心的電晶

體，使電晶體更小、更快。近年來，晶片製造業者都苦於克服晶片最小化的工程挑戰。







根據三星釋出的資訊，GAA技術重新設計電晶體底層結構，號稱將可提升速度性能35%、使

用空間減少45%，以及電力消耗減少50%。





國際商業策略（International Business Strategies）執行長瓊斯指出，三星的材料研

究計畫正開始獲得回報。他說：「三星在GAA技術方面已經超越台積電，可能領先達12個

月。」





閱報祕書／GAA

GAA全名為Gate-All-Around，又被稱為「閘極全環」，是種多閘極電晶體，能使用一個電

極同時控制多個閘極的電晶體。GAA是當前鰭式場效電晶體（FinFET） 進化版的晶片生產

技術；或稱「環繞式結構 FET」，能對晶片核心進行全新改造與設計，使晶片更小，處理

速度更快且更省電，是一項全新的電晶體架構 。




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