力追台積電！英特爾公布4奈米技術細節 - 工程師

力追台積電！英特爾公布4奈米技術細節　拚2025年製程領先


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記者高兆麟／綜合報導

近來國際晶圓代工龍頭三廠，台積電、英特爾、三星動作頻頻，在台積電在技術論壇大秀

2奈米製程和支援3奈米的FINFLEX技術後，三星也在上月底搶先宣布量產3奈米，而英特爾

則在今日宣布Intel 4製程技術採EUV，相較Intel 7，相同功耗提升20％以上的效能，英

特爾也指出，這項技術將帶領英特爾2025年重回製程領先地位。




英特爾近期於美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4製程的技術細節。相

較於Intel 7，Intel 4於相同功耗提升20％以上的效能，高效能元件庫（library cell）

的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發中產品的需求，包括PC客戶端的

Meteor Lake，並推進先進技術和製程模組，有望帶領英特爾2025年重回製程領先地位。




Intel 4於鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critical Dimension），

持續朝向微縮的方向前行，並同時導入設計技術偕同最佳化，縮小單一元件的尺寸。透過

FinFET材料與結構上的改良提升效能，Intel 4單一N型半導體或是P型半導體，其鰭片數

量從Intel 7高效能元件庫的4片降低至3片。綜合上述技術，使得Intel 4能夠大幅增加邏

輯元件密度，並縮減路徑延遲和降低功耗。




Intel 7已導入自對準四重成像技術（Self-Aligned Quad Patterning、SAQP）和主動元

件閘極上接點（Contact Over Active Gate、COAG）技術來提升邏輯密度。前者透過單次

微影和兩次沉積、蝕刻步驟，將晶圓上的微影圖案縮小4倍，且沒有多次微影層疊對準的

問題；後者則是將閘極接點直接設在閘極上方，而非傳統設在閘極的一側，進而提升元件

密度。Intel 4更進一步加入網格布線方案（gridded layout scheme），簡單化並規律化

電路布線，提升效能同時並改善生產良率。




隨著製程微縮，電晶體上方的金屬導線、接點也隨之縮小；導線的電阻和線路直徑呈現反

比，該如何維持導線效能抑是需要克服的壁壘。Intel 4採用新的金屬配方稱之為強化銅

（Enhanced Cu），使用銅做為導線、接點的主體，取代Intel 7所使用的鈷，外層再使用

鈷、鉭包覆；此配方兼具銅的低電阻特性，並降低自由電子移動時撞擊原子使其移位，進

而讓電路失效的電遷移（electromigration）現象，為Intel 3和未來的製程打下基礎。





將光罩圖案成像至晶圓上的最重要改變，可能是在於廣泛的使用EUV來簡化製程。英特爾

不僅在現有良好解決方案中的最關鍵層使用EUV，而且在Intel 4的較高互連層中使用EUV

，以大幅度減少光罩數量和製程步驟。其降低製程的複雜性，亦同步替未來製程節點建立

技術領先地位及設備產能，英特爾將在這些製程更廣泛地使用EUV，更將導入全球第一款

量產型高數值孔徑（High-NA）EUV系統。




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