南韓三星電子半導體虧損4.6兆韓元　同意 - 工程師

南韓三星電子半導體虧損4.6兆韓元　同意加入美國《晶片法》協商


記者羅翊宬／綜合外電報導

全球半導體與記憶體產業迎來寒冬，南韓三星電子今（27）日公布今年第一季財報數據評

估，結果顯示合併營業利益大跌95.5%，僅創下6402億韓元（約新台幣147.3億元）的成績

；至於在半導體部門更虧損近4.6兆韓元（約新台幣1058億元），是2009年金融危機後該

部門首度迎來赤字。另外，三星電子決定加入美國《晶片法》協商。



根據《韓聯社》，南韓三星電子27日公布今年第一季財報評估數據，結果顯示合併營業利

益僅6000億韓元，和去年同期相比大跌95.5%，是2009年第一季（5900億韓元）迎來金融

危機後，時隔14年再度跌至1兆韓元以下；而合併營收則為63兆7454億韓元（約新台幣1兆

4667億元）。



至於三星電子的「半導體事業暨裝置解決方案」部門（DS部門）更創下4兆5800億韓元的

虧損，也是2009年金融危機以後14年來首度面臨的慘況，主要歸因為受到全球經濟發展停

滯的情況下，消費心理萎縮、無法提升市場需求，導致記憶半導體等庫存量增加，價格暴

跌後造成合併營業利益大跌。




根據韓媒《紐西斯通訊社》，三星電子高層在第一季財報電話會議上也透露，將會加入美

國實施《晶片法》的相關協商，「針對美國政府〈晶片法〉補助的相關義務和擔憂事項，

美國政府表示將會聽取業界意見，在和各企業協商後具體提出方案。本公司也將參與該程

序。」



三星電子表示，「將會致力降低地緣政治所帶來的風險。」


據悉，美國《晶片法》從去年8月起開始生效，美國政府挹注527億美元的預算，以獲得

25%投資租稅減免的條件，來鼓勵企業在美國設立晶片廠，不過獲得補助的企業10年以內

不得在中國擴張半導體生產設施投資達5%，且必須向美國政府交出良率、產能利用率、預

期收益率等商業機密。



另外，儘管面臨大規模虧損，三星電子第一季仍在研究開發（R&D）投資6兆5800億韓元，

在設施投資項目中甚至投入10兆7000多億韓元，創下每年第一季的最大規模。



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