南韓政府10年投資22億美金啟動先進功率半 - 工程師

南韓政府10年投資22億美金啟動先進功率半導體計畫

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南韓政府2021年4月1日發佈了先進功率半導體（advanced power semiconductor）研發和
產能提升計畫，用於人工智慧系統、電動汽車等的功率轉換、穩定、控制等，以及5G通訊
系統和可再生能源發電的逆變器（inverter）中。韓國國內市場規模約為20億美元，然而
由於缺乏專利和技術，90%以上需求仰賴進口。

韓國政府計畫到2025年提升本土競爭力到全球水準，到時韓國將至少有5種先進功率半導
體商業產品。韓國政府將專注於SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）和Ga2O3（氧化鎵）三種
材料的應用技術，以克服矽材料的限制，並協助企業在材料和晶圓方面的研發工作。

尤其，隨著透明的導電氧化物──氧化鎵（Ga2O3）出現，還有一個不錯的特性，藉由摻
雜（Doping）流程可以向其添加電荷載流子，增加其導電性。氧化鎵可以採用現存已建立
的商業微影機和加工技術，以離子注入的標準製程，以及在外延生長過程中沉積的雜質來
添加摻雜劑。氧化鎵的另一個優點，就是在大型晶圓之結晶的氧化鎵實際上非常容易製造
。

韓國政府還計畫協助功率IC設計，開發高密度、高性能的先進功率半導體產品，同時與晶
圓廠一起設立6至8吋的製程，擴大相關的晶圓服務。

其實，2021年2月1日韓國政府就宣佈，2021年將投資2500億韓元（約2.2億美元），未來
10年將投資2.5兆韓元（約22億美元），加快功率半導體、先進感測器和AI晶片技術等系
統級晶片技術的研發。

首先，在今年(2021)將選擇4家無晶圓廠公司（fabless），目標達到1000億韓元（約8900
萬美元）的銷售額，並在評估後再進一步協助公司開發有潛力的產品。

功率半導體技術相關的研發方面，將集中在SiC和GaN半導體上，其特點是比現有的矽晶片
更加耐用和高效。在感測器研發、製造和建立測試平台方面，政府將投入5000億韓元（約
4.4億美元）進行初步可行性調查。

在AI晶片研發方面，下世代AI半導體技術研發的年度預算從831億韓元（約7400萬美元）
增加到1223億韓元（約1億美元）。正在進行的可行性研究完成後，將啟動記憶體處理器
（Processor-in-Memory，PIM）晶片研發專案。

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