台GG面試題目值得深思的小問題 - 面試

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各位大大好

我今天在台積電面試的題目,看起來很簡單,但是滿值得思考的問題。

-----------------面試題目-------------------
假設電路上只有一個電壓源以及PN二極體

在二極體外加正偏電壓3V(或更大電壓) 除了不考慮材料的電流耐壓以及器件崩潰

盡可能考慮所有產生的因素 如:high level injection、PN結電阻Rp Rn的話

1)能帶圖該怎麼畫?

2)此時的的空乏區內建電壓會被抵銷嗎?空乏區會消失嗎?

3)延伸第二題 假設內建電壓0.7V不會被完全抵消 那麼施加的順向偏壓
所剩的2.3V會在哪被消耗掉?

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All Comments

Ula avatarUla2016-06-19
我記得老師有說過空乏區好像有一個最小值,並不會消失,
Christine avatarChristine2016-06-22
至於為什麼,老師也沒講很清楚,求高人解答!
Puput avatarPuput2016-06-26
你是中國人嗎?
Suhail Hany avatarSuhail Hany2016-06-30
大注入 PN結電阻 好像都是對岸用法
Adele avatarAdele2016-07-04
元件物理
Tracy avatarTracy2016-07-05
不難~半物就有教了
Linda avatarLinda2016-07-05
電子學沒念哦
Skylar DavisLinda avatarSkylar DavisLinda2016-07-07
沒差拉,主管喜歡你,會說進來再學就好
Joseph avatarJoseph2016-07-11
台灣的公司為什麼找大陸人面試台灣人啊? @@
Delia avatarDelia2016-07-14
自己的作業自己寫
Lucy avatarLucy2016-07-18
為啥pn內建位障是0.7? 那不是是導通電壓?
Rebecca avatarRebecca2016-07-21
你先去補大碩
Edward Lewis avatarEdward Lewis2016-07-26
有點看不懂內鍵0.7V怎樣假設不消失
Megan avatarMegan2016-07-26
順偏電壓下,P型能帶下彎,N型能帶上彎,導電載子所需
跨越的電位障視兩段摻雜濃度而定 。空乏區不會消失且
會窄於熱平衡時的寬度,載子不斷地向彼此進行擴散,內
建電場的形成是為了抵制兩端載子的擴散 。
Edward Lewis avatarEdward Lewis2016-07-30
應該是pn導通視同電阻,所以2.3給這個電阻
Zora avatarZora2016-08-01
假設單邊陡接面(P+N)情況下,電壓可幾乎
Jack avatarJack2016-08-01
於N型空乏區與與N型本體電阻上
Regina avatarRegina2016-08-02
壓降幾乎橫跨在N側空乏區與N型半導體的本體電阻上(相
對高阻值),因為濃度與阻值成反比
Aaliyah avatarAaliyah2016-08-05
0.7 不是用背的嗎
Isla avatarIsla2016-08-08
wiki查到的圖 我猜應該是問這個
http://tinyurl.com/gszd5qp
Emma avatarEmma2016-08-09
其實如果不是做device 元件物理根本幾乎用不到
Susan avatarSusan2016-08-11
剩下的2.3V應該是金屬+PN接面準電中性區域的等效電
Joe avatarJoe2016-08-16
Hedda avatarHedda2016-08-18
特別是PN半導體摻雜濃度越低,電阻值越高
Rosalind avatarRosalind2016-08-18
會燒掉吧... 不然就被clamp current限制住,電壓加
不上去
David avatarDavid2016-08-23
理想狀態的話 能障在0.7V+時被克服 N+P+部分就像一
根電阻 ~2.3V等於極大I乘上極小R
Necoo avatarNecoo2016-08-27
據我所知gg面試從來沒有問過半導體相關問題