台積戰三星 攻次世代記憶體 - 工程師

台積戰三星 攻次世代記憶體

晶圓代工大廠台積電和三星的競爭，現由邏輯晶片擴及記憶體市場。台積電這次重返記憶
體市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代記憶體，因傳輸速度比一般快
閃記憶體快上萬倍，是否引爆記憶體產業的新潮流，值得密切關注。

台積電技術長孫元成日前在台積電技術論壇，首次揭露台積電研發多年的eMRAM（嵌入式
磁阻式隨機存取記憶體）和eRRAM（嵌入式電阻式記憶體）分別訂明後年進行風險性試產
，主要採用22奈米製程，這將是台積電因應物聯網、行動裝置、高速運算電腦和智慧汽車
等四領域所提供效能更快速和耗電更低的新記憶體。

這也是台積電共同執行長魏哲家向法人表達不會跨足標準型記憶體，不會角逐東芝分割成
立半導體公司股權後，台積電再次說明記憶體的戰策布局，將瞄準效能比一般DRAM和儲存
型快閃記憶體（NAND Flash）的MRAM和RRAM。

稍早三星電子也在一場晶圓廠商論壇中發表該公司所研發的MRAM。三星目前也是全球中率
先可提供此次世代記憶體產品的記憶體廠，產品技術時程大幅領先台積電，三星的MRAM並
獲恩智浦導入。

據了解，台積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代記憶體研發，多年來因難度
高，商業化和競爭力遠不如DRAM，導致多家廠商都都僅限於研發。

記憶體業者表示，次世代記憶體中，投入研發的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化記憶體
（PRAM）等三大次世代記憶體，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產的記憶體類
型。

不過，在DRAM和NAND Flash製程已逼近極限，包括無人車、AI人工智慧、高階智慧型手機
和物聯網等要求快速演算等功能，是台積電認為商機即將成熟並決定在2018及2019年提供
相關嵌入及整合其他異質晶片技術，進行商業化量產。

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