台積電 啟動新一波高成長 - 工程師
By Ethan
at 2013-04-19T05:31
at 2013-04-19T05:31
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台積電董事長張忠謀昨(18)日宣布,今年資本支出從90億美元(約新台幣2,700億元)
調高到95億至100億美元(約新台幣2,850億元至3,000億元),調高幅度約5.5%至11%,再
寫新高。
張忠謀表示,台積電2009年開始啟動高資本支出、高研發政策,過去四年來,台積電每年
營收締造新猷,四年來的年獲利也有三次創新高。這次調高資本支出,意味著台積電將啟
動另一波高成長,未來三至五年的獲利年複合成長率將超過一成。
台積電也調高今年產能的年增目標,總產能從原先預估年增10%上升至11%,12吋總產能年
增目標從15%提高到17%。
上修後的資本支出,有90%將用於28、20、16奈米以下的產能擴建,5%用於研發支出,包
含10奈米與7奈米以下設計,2%用於特殊製程需求。
台積電今年的主要成長動能為28奈米,張忠謀說,28奈米市占居高不下,主要是因為台積
電低耗能製程(LP)良率優於同業,加上Gate-Last為主的金屬閘極(HKMG)製程,有別
於同業的Gate-First製程,大幅幫助客戶產品提升效能,客戶反應相當好。
台積電28奈米占第1季營收24%,已是營收最高製程來源,今年不只28奈米總產能要比去年
大增三倍,營收也會比去年成長三倍,等於從去年615億元大增到1,845億元,占全年營收
將超越三成。
台積電調高資本支出,主要投入20奈米與16奈米鰭式電晶體(Finfet)的前期投資,20奈
米已有20個產品設計定案(Tape out)。張忠謀說,20奈米從2014年開始量產,預期20奈
米第一年與第二年的產出,會比28奈米的前兩年產出來得大。
新聞辭典 :
20奈米、3D Finfet
隨著摩爾定律的演進,以前IC是「微電子」技術,因為電晶體的大小是在微米(百萬分之
1米,也就是1/1,000,000)等級;2001年起,摩爾定律進到IC小於0.1微米,也就是小於
100奈米,宣告步入奈米時代。
在半導體中,20奈米指的是「線寬」的粗細,20奈米是28奈米的下一世代技術,16奈半或
14奈米則是20奈米的下一世代技術。
越小的線寬,代表電晶體的尺寸越小;線寬越細,元件就越小,每個晶片上所能儲存的資
料量就越大,速度也越快。越小的晶片,越適合行動運算等各種裝置,符合輕薄短小、省
電、高效能需求。
此外,進入16奈米以下的先進製程後,半導體將全面進入3D鰭式電晶體(Finfet)技術,
這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)電晶體。
相較於傳統電晶體若要控制電流通過閘門,只能選擇在閘門的一側來控制,屬於平面式的
結構;3D Finfet的閘門,是類似魚鰭般的三面立體式設計,能大幅改善電路控制,減少
因通道貫穿所產生的漏電問題。
利用3D Finfet,將能順利讓晶片發展到10奈米以下。這項技術上的突破,未來可讓超級
電腦設計成只有指甲般大小。
http://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/7841162.shtml
--
若無根本八字,豈能為卿為相。一生皆由命,半點不由人。
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調高到95億至100億美元(約新台幣2,850億元至3,000億元),調高幅度約5.5%至11%,再
寫新高。
張忠謀表示,台積電2009年開始啟動高資本支出、高研發政策,過去四年來,台積電每年
營收締造新猷,四年來的年獲利也有三次創新高。這次調高資本支出,意味著台積電將啟
動另一波高成長,未來三至五年的獲利年複合成長率將超過一成。
台積電也調高今年產能的年增目標,總產能從原先預估年增10%上升至11%,12吋總產能年
增目標從15%提高到17%。
上修後的資本支出,有90%將用於28、20、16奈米以下的產能擴建,5%用於研發支出,包
含10奈米與7奈米以下設計,2%用於特殊製程需求。
台積電今年的主要成長動能為28奈米,張忠謀說,28奈米市占居高不下,主要是因為台積
電低耗能製程(LP)良率優於同業,加上Gate-Last為主的金屬閘極(HKMG)製程,有別
於同業的Gate-First製程,大幅幫助客戶產品提升效能,客戶反應相當好。
台積電28奈米占第1季營收24%,已是營收最高製程來源,今年不只28奈米總產能要比去年
大增三倍,營收也會比去年成長三倍,等於從去年615億元大增到1,845億元,占全年營收
將超越三成。
台積電調高資本支出,主要投入20奈米與16奈米鰭式電晶體(Finfet)的前期投資,20奈
米已有20個產品設計定案(Tape out)。張忠謀說,20奈米從2014年開始量產,預期20奈
米第一年與第二年的產出,會比28奈米的前兩年產出來得大。
新聞辭典 :
20奈米、3D Finfet
隨著摩爾定律的演進,以前IC是「微電子」技術,因為電晶體的大小是在微米(百萬分之
1米,也就是1/1,000,000)等級;2001年起,摩爾定律進到IC小於0.1微米,也就是小於
100奈米,宣告步入奈米時代。
在半導體中,20奈米指的是「線寬」的粗細,20奈米是28奈米的下一世代技術,16奈半或
14奈米則是20奈米的下一世代技術。
越小的線寬,代表電晶體的尺寸越小;線寬越細,元件就越小,每個晶片上所能儲存的資
料量就越大,速度也越快。越小的晶片,越適合行動運算等各種裝置,符合輕薄短小、省
電、高效能需求。
此外,進入16奈米以下的先進製程後,半導體將全面進入3D鰭式電晶體(Finfet)技術,
這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)電晶體。
相較於傳統電晶體若要控制電流通過閘門,只能選擇在閘門的一側來控制,屬於平面式的
結構;3D Finfet的閘門,是類似魚鰭般的三面立體式設計,能大幅改善電路控制,減少
因通道貫穿所產生的漏電問題。
利用3D Finfet,將能順利讓晶片發展到10奈米以下。這項技術上的突破,未來可讓超級
電腦設計成只有指甲般大小。
http://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/7841162.shtml
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