台積電18吋晶圓 2018量產 - 工程師

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http://news.chinatimes.com/tech/171706/122012090500107.html

原文：


台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）今（5）日開幕，18吋晶圓成為市場焦點，台積

電營運副總經理王建光昨（4）日出席半導體展前記者會時表示，台積電已做好導入18吋晶

圓規劃，預計2018年量產，屆時導入的技術將以10奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程為

主。

　
共同出席的台積電研發副總林本堅則指出，台積電20奈米已快量產，16奈米FinFET製

程開發依計劃進行，接下來的10奈米FinFET製程希望可以導入新一代的微影技術，除了極

紫外光（EUV）方案外，多重電子束（Multi E-Beam）仍是台積電的選項之一。

　
包括英特爾、台積電、三星、IBM、格羅方德（GlobalFoundries）等全球5大半導體廠

，今年初已決定共組全球18吋晶圓聯盟（G450C），王建光表示，今年是推動18吋晶圓元年

，也是令半導體業者感到興奮的一年，G450C結合了全球半導體大廠的資源，將以最經濟也

最有效率的方式，為18吋晶圓制定出新的標準，期望未來18吋晶圓導入量產後能「一槍中

的」。


對台積電來說，跨入18吋晶圓仍需要時間。王建光表示，2014~2015年時應可完成設

備規格制定，預計2015年初，設備商就能提供測試設備（demo tools），而2016~2017年將

開始建立試產生產線（pilot line），並建立起上下游的供應鏈，若一切順利，台積電在

2018年就能夠以18吋晶圓投入量產。

　
在微影技術部份，台積電日前已決定加入微影設備大廠荷商艾司摩爾（ASML）的「客

戶聯合投資專案」，總投資金額高達11.14億歐元（約新台幣407億元），包括取得ASML的

5％股權，並加入極紫外光（EUV）及18吋晶圓設備的研發計畫。

　
林本堅表示，台積電的技術藍圖有些變動，28奈米之後的20奈米已經接近量產，再接

下去的16奈米，將是台積電首度導入3D架構的FinFET電晶體製程，再進行微縮後就是10奈

米FinFET。

　
林本堅表示，由於EUV技術尚未成熟，16奈米及10奈米仍然會用到浸潤式（immersion

）的微影技術，10奈米以及之後的7奈米，則會導入新一代的微影技術，目前除了EUV之外

，多重電子束也是考量的方向。

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