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微影時無法分辨二氧化矽與矽的差異 - 工程師

Thomas avatarThomas · 2018-02-10

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不好意思

這類問題我認為有業界經驗的人會比較清楚

所以前來詢問

這個月我進行微感測器的製作

製程僅三道光罩製程

基板有事先沉積5000A的二氧化矽

目前進度是僅完成第一道光罩製程

即是：微影→BOE蝕刻→離子佈值→退火

目前於第二道光罩製程的微影上卡關

https://i.imgur.com/SyajyDr.jpg

https://i.imgur.com/KszApqi.jpg

將目前的試片

直接用顯微鏡照射能看到淺淺的圖型

但是一旦塗佈上光阻

就什麼都看不到了

https://i.imgur.com/lPyVeme.jpg

https://i.imgur.com/GYdFRq2.jpg

上面兩張圖是對準晶圓邊緣的校準記號

但是顯微鏡顯示卻是一片漆黑

原本想說因為我使用的是厚光阻AZ4620

就去中山借用了微影系統

他們使用的是AZ1500

塗佈後光阻厚度僅1.5um

但是當他們光罩對準機的光學顯微鏡一打下去

同樣是一片雪白

無法分辨矽與二氧化矽的差異

可是後來想想要是真的無法分辨矽與二氧化矽

那目前市面上的MOSFET到底是怎麼做出來的？

我認為問題一定出在我製程的某個環節上

不好意思打擾大家

謝謝各位

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工程師

All Comments

Delia avatarDelia2018-02-10
5000A太淺了吧 覺得應該看不到...
Valerie avatarValerie2018-02-14
光阻的折射率跟二氧化矽太接近了
Ida avatarIda2018-02-16
就機台差異啊 當你有一台6000萬的機台 你就不會有這
個問題了 學校呵呵
Andrew avatarAndrew2018-02-18
列幾種可能：（1）第一道蝕刻吃太淺，導致align mark蓋
上光阻後不明顯。（2）anneal的thermal budget沒算好，
導致oxide還是amorphous。(3)確認第二道mask 是不是沒la
yout align mark，很蠢，但是真的有可能……(4)OM or SE
M設定錯誤，OM焦距對比調看看/SEM 能量調高點
Franklin avatarFranklin2018-02-21
去問邱主任的實驗室學生
Cara avatarCara2018-02-25
我覺得是p大說的3，la mark 問題 沒有或線寬太小
Oliver avatarOliver2018-03-01
1.5um 很厚好嗎...另外你跑錯地方了
Hamiltion avatarHamiltion2018-03-05
OM的DOF是nm等級的~你蓋那麼厚看不到前層是很正常
George avatarGeorge2018-03-08
4樓亂教 SEM只看的到當層~跟SEM一點關係都沒有
Faithe avatarFaithe2018-03-08
有沒有試過把光阻拔掉再去看一下alignment mark?
Andrew avatarAndrew2018-03-09
OM就看不到的話那和SEM就無關聯了
Damian avatarDamian2018-03-10
在MEMS來說1.5um是薄沒錯
Sarah avatarSarah2018-03-13
你要不要試試看 整片不曝直接顯影 再拿去外面的OM或
Lauren avatarLauren2018-03-14
可能線寬太細了 外面強光看得到的話 可能把mark的線
寬加大試試
Damian avatarDamian2018-03-17
Level sensor?
Yedda avatarYedda2018-03-18
反正只要不是蝕刻沒吃出來或光阻流不進去 一切好談
Doris avatarDoris2018-03-23
aligment mark的線寬不會影響你實際成品的功能
Cara avatarCara2018-03-27
如果你的AM只有0.5um深，看不到很正常
Elma avatarElma2018-03-30
同意樓上S大 我的意思就是5000A要當AM太淺了吧QQ
Kelly avatarKelly2018-04-02
我之前學生時代做的MOS第二道光罩要對的AM是用metal ga
Zanna avatarZanna2018-04-06
te順便一起做的
Leila avatarLeila2018-04-07
製作前段STI的PR都很薄，因為resolution才夠，1.5 um這
Tom avatarTom2018-04-10
種都是後段甚至是封裝業在使用的
Carol avatarCarol2018-04-12
封裝都馬十幾um在摳的
Daniel avatarDaniel2018-04-14
thermal budget不是這種用法吧?
Bennie avatarBennie2018-04-19
抱歉會錯意惹
Kumar avatarKumar2018-04-22
電子顯微鏡看不到前層拉 業界都是用雷射光源反射訊號對
Cara avatarCara2018-04-22
準然後用可見光量測結果拉
Linda avatarLinda2018-04-24
你sio2離子佈值完就洗掉了吧，要一個KEY光罩先RIE基板吃
出key圖形方便後面對準
Kyle avatarKyle2018-04-25
以前用om勉強能看出500a深的Trench你這沒理由看不到
Michael avatarMichael2018-04-25
學校機台的問題，有個方法是可以用負光阻搭配oxide
做微影變化
Anonymous avatarAnonymous2018-04-26
GG的N28開始double paterning製程段就有這樣狀況
Ina avatarIna2018-04-28
上光阻時有三層(有一層含Si),要搭配不同蝕刻薄膜的連續製程
才能做完(我講的很模糊,關係人應該知道是哪段)
Zanna avatarZanna2018-05-01
多一道光罩隨便co個金屬上去當AM不就好惹
Ina avatarIna2018-05-05
一開始先在空地做alignment mark吧。選Au or Ti 加上
Caitlin avatarCaitlin2018-05-07
lift off process
James avatarJames2018-05-10
想法同上層,但你後面的mark應該要打掉重來，有金屬當mar
k比較好
Rebecca avatarRebecca2018-05-10
看不懂Orz
Michael avatarMichael2018-05-15
同樓上，建議先作一個第0層mark，金屬比oxide的辨識度高
Candice avatarCandice2018-05-17
某S6大不要亂教好嗎...，STI層薄是因為DOF小，膜厚才薄
，還有FEOL也是有光阻厚的層，有些離子注入層是使用厚
光阻