挑戰摩爾定律極限 ASML開發1奈米製程曝 - 工程師

挑戰摩爾定律極限 ASML開發1奈米製程曝光設備


2020/12/02 05:30



〔編譯盧永山／綜合報導〕

據日本Mynavi News網站報導，日前在東京落幕的二○二○年IMEC科技論壇，比利時半導體
研究機構IMEC正式公布與荷蘭半導體設備大廠艾斯摩爾（ ASML）合作研發的新一代高解析
度EUV曝光技術（ High NA EUV）；



根據公布內容，ASML對三奈米、二奈米、一．五奈米、甚至小於一奈米製程，都做了清楚發
展規劃，顯示ASML已能開發一奈米製程的曝光設備。



摩爾定律（Moore’s law）指的是積體電路上可容納電晶體數目，約每隔十八個月增加一倍
、性能也提升一倍，近幾年來因電晶體尺寸縮小速度趨緩，業界對摩爾定律是否已到盡頭爭
論不斷。


最快二○二二年商業化


IMEC執行長范登霍夫（Luc Van den Hove）透露，該機構與ASML共同開發High NA EUV已取
得突破，即使製程到達一奈米甚至更小，製程微縮化仍會繼續，摩爾定律並不會停下來；


IMEC也在論壇上公布三奈米、二奈米、一．五奈米、甚至小於一奈米的邏輯元件製程微縮路
線圖。



晶圓代工大廠台積電和三星電子要投入二奈米以後的超精細製程，亟需高解析度及高曝光設
備；ASML已完成高NA EUV曝光設備的基本設計，型號為NXE5000系列，商業化時間預定最快
在二○二二年左右，這套新一代曝光設備將因龐大的光學系統而變得非常巨大。



范登霍夫指出，邏輯元件製程微縮的目的在於降低功耗、提高效能、減少面積以及降低成本
；隨著製程向三奈米、二奈米、一．五奈米、甚至到一奈米以下發展，他們將繼續開發微縮
製程技術，以滿足對未來先進科技應用的需求。


https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1416411



心得：

根據先前晶圓大工大廠台積電和三星電子介紹，從 7 奈米製程技術開始，部分製程技術已
經推出了 NA=0.33 的 EUV 曝光設備，

5 奈米製程技術也達成了頻率的提升，

但對於 2 奈米以後的超精細製程技術，則還是需要能夠達成更高的辨識率和更高 NA （NA=
0.55） 的曝光設備。


事實上，過去一直與 IMEC 緊密合作開發半導體曝光技術，但為了開發使用高 NA EUV 曝光
設備，ASML 在 IMEC 的園區內成立了新的「IMEC-ASML 高 NA EUV 實驗室」，以達成共同
開發和開發使用高 NA EUV 曝光設備的相關技術。


而且，該公司還計劃與材料供應商合作，進一步進行光罩和光阻劑。

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○ PiTT // PHJCI

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中國國民黨中央執行委員會特務委員會特工總部，為第二次世界大戰時期汪精衛政權奉日
軍令設置於上海市的特工總部，因其所在地為上海市滬西越界築路地段的極司非爾路76號
（今萬航渡路），又被稱為76號。鄰近上海日本憲兵隊。在76號內裡常刑囚拷打重慶
分子、抗日志士。


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