75奈米1Gb 3V Nand Flash?!
吳敏求指出，高容量的Nor75奈米1Gb 3V Nand Flash在第1季送樣。
到底是3V 還是3D, 你也說清楚點麻??
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旺宏目前開發出的3D NAND Flash，是採用75奈米 BE-SONOS charge-trapping技術，
透過組合8層結構單元，將每個單元記憶體(cell size)面積縮小至 0.0014 (μm)2，
幾乎相等於採用25nm製程的浮閘(floating gate) NAND元件。
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三爽都出到 25nm TLC nand flash... 相同面積, 三倍容量 慘呀!!
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吳敏求指出，高容量的Nor75奈米1Gb 3V Nand Flash在第1季送樣。
到底是3V 還是3D, 你也說清楚點麻??
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旺宏目前開發出的3D NAND Flash，是採用75奈米 BE-SONOS charge-trapping技術，
透過組合8層結構單元，將每個單元記憶體(cell size)面積縮小至 0.0014 (μm)2，
幾乎相等於採用25nm製程的浮閘(floating gate) NAND元件。
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三爽都出到 25nm TLC nand flash... 相同面積, 三倍容量 慘呀!!
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