推 rssh0106: 外星科技對這些大公司不難。難在於外星科技能不能量產。 03/31 23:28
→ rssh0106: 講難聽一點，MIT的東西也一堆外星科技，但能變成產品嗎 03/31 23:30
→ rssh0106: ？ 03/31 23:30
→ rssh0106: 不能量產的技術，叫裝飾品。養不起人的。 03/31 23:30
噓 zhi5566: 別在開玩笑了 王者? 那就靠製成打敗高通 nvidia啊 04/01 22:02
→ zhi5566: 事實就是手機被人屌打＋哭著回家說要改做哺哺 不完惹 04/01 22:03
→ zhi5566: 下單到代工 你以為你在叫飲料啊 裡面藏了多少商業機密 04/01 22:05
推 zhi5566: 光這點註定i設只能幫展訓 一些不重要的二三線打工 還一邊 04/01 22:06
推 zhi5566: 靠背這些公司的能力有夠爛 還要幫忙debug 04/01 22:06
→ zhi5566: 這些公司若是沒特別突出 i設也就不被當一回事 04/01 22:08
→ zhi5566: 聽說收購FPGA後 賽琳思業績反而成長 製成王者 好厲害 04/01 22:16
→ zhi5566: 就是一個用ＰＣ思為 到處當凱子的公司 04/01 22:16
→ zhi5566: 這幾年還得靠裁員撐業績 i最會做沒人用的東西 亡者 04/01 22:19
本來看到GG腦粉的各種秀下限 連打字都有點懶的回了…
但周末沒事 大家就來討論討論
你們說Intel 專做沒人會採用的技術 我就舉幾個例子
你再摸摸你的覽趴 告訴我這些東西有沒有人用
2003年Intel當時卡在90nm (GG當時卡在幾nm我懶得查)
當時很多學界業界都在研究strained Si 但無一成功
Intel研發出uniaxial Strained Si channel
當時也一堆人也是在喊 這技術就算成功也太貴 不能量產沒人要用 三小的
結果Intel導入自己FAB開始生產 三年半後 每間半導體廠都copy此技術成為業界標準
2007年 Intel當時卡45nm 因為微縮造成gate穿隧漏電太大
業界研究普遍押寶Hi-K gate first process (因為跟當時的製程相容)
Intel獨排眾議採用gate last + replacement metal gate
一開始時 也是一堆人靠北靠木說製成太複雜 太貴不可能量產 GG掰掰的
結果Intel自己開始量產3年後 所有半導體廠都copy此技術成為業界標準
2009年Intel在32nm 當時的後端製成開始變成chip 微縮的瓶頸
Intel開始採用self-aligned via flow
三年半後每間半導體廠都copy此技術
2011年Intel在22nm 為了進一步增加電晶體密度及降低漏電
Intel開始採用tri-gate結構 (也就是今日的FinFET)
在此之前學界早就提出tri-gate 但當時目光短淺的人也是喊不可能量產啦 太貴啦三小的
只有Intel決定這就是晶片製造未來必須走的方向
結果在Intel開始量產3年後 又是一樣的結果 GG開始copy
(也就是GG所謂的16nm 但密度卻沒比自己的22nm planar MOSFET高多少)
而三爽花了更久時間才搞出14nm FinFET 自爆晶片 轟動全球
2014年 Intel開始推出第2代FinFET technology 採用SADP 進一步提高密度及效能
(這不是Intel發明的 但卻是第一個用在邏輯製成來量產的)
再Intel 量產了三年後 在本年度GG要推出的10nm FinFET “預期”會採用此技術
(也有可能不會 繼續採用原本的多重曝光製程 而在下一代直接跳EUV)
今天講這些不是要吹噓Intel有多成功 畢竟有成功就會有失敗
WIMAX, mobile 都是讓Intel栽了不小的跟斗
繪圖晶片intel也是太晚才起步 以及太固執再X86而失去先機
這些失敗例子大家都知道 R&D本來就是一種投資
而投資有賺就有賠 誰能保證投資只賺不賠
你們這種嘲笑Intel投資失利的思維 跟標準台灣慣老闆有何不同
難怪台灣沒有真正的RD
回歸正題 到半導體製程的技術開發上
Intel在這領域的貢獻 不是你們幾個無知的學生腦粉喊喊就可以被忽略的
如果你們是GG的員工 那我只能替GG感到悲哀
竟然請到這種素質的 連做點基本功課都不會 摳聯捏
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→ rssh0106: 講難聽一點，MIT的東西也一堆外星科技，但能變成產品嗎 03/31 23:30
→ rssh0106: ？ 03/31 23:30
→ rssh0106: 不能量產的技術，叫裝飾品。養不起人的。 03/31 23:30
噓 zhi5566: 別在開玩笑了 王者? 那就靠製成打敗高通 nvidia啊 04/01 22:02
→ zhi5566: 事實就是手機被人屌打＋哭著回家說要改做哺哺 不完惹 04/01 22:03
→ zhi5566: 下單到代工 你以為你在叫飲料啊 裡面藏了多少商業機密 04/01 22:05
推 zhi5566: 光這點註定i設只能幫展訓 一些不重要的二三線打工 還一邊 04/01 22:06
推 zhi5566: 靠背這些公司的能力有夠爛 還要幫忙debug 04/01 22:06
→ zhi5566: 這些公司若是沒特別突出 i設也就不被當一回事 04/01 22:08
→ zhi5566: 聽說收購FPGA後 賽琳思業績反而成長 製成王者 好厲害 04/01 22:16
→ zhi5566: 就是一個用ＰＣ思為 到處當凱子的公司 04/01 22:16
→ zhi5566: 這幾年還得靠裁員撐業績 i最會做沒人用的東西 亡者 04/01 22:19
本來看到GG腦粉的各種秀下限 連打字都有點懶的回了…
但周末沒事 大家就來討論討論
你們說Intel 專做沒人會採用的技術 我就舉幾個例子
你再摸摸你的覽趴 告訴我這些東西有沒有人用
2003年Intel當時卡在90nm (GG當時卡在幾nm我懶得查)
當時很多學界業界都在研究strained Si 但無一成功
Intel研發出uniaxial Strained Si channel
當時也一堆人也是在喊 這技術就算成功也太貴 不能量產沒人要用 三小的
結果Intel導入自己FAB開始生產 三年半後 每間半導體廠都copy此技術成為業界標準
2007年 Intel當時卡45nm 因為微縮造成gate穿隧漏電太大
業界研究普遍押寶Hi-K gate first process (因為跟當時的製程相容)
Intel獨排眾議採用gate last + replacement metal gate
一開始時 也是一堆人靠北靠木說製成太複雜 太貴不可能量產 GG掰掰的
結果Intel自己開始量產3年後 所有半導體廠都copy此技術成為業界標準
2009年Intel在32nm 當時的後端製成開始變成chip 微縮的瓶頸
Intel開始採用self-aligned via flow
三年半後每間半導體廠都copy此技術
2011年Intel在22nm 為了進一步增加電晶體密度及降低漏電
Intel開始採用tri-gate結構 (也就是今日的FinFET)
在此之前學界早就提出tri-gate 但當時目光短淺的人也是喊不可能量產啦 太貴啦三小的
只有Intel決定這就是晶片製造未來必須走的方向
結果在Intel開始量產3年後 又是一樣的結果 GG開始copy
(也就是GG所謂的16nm 但密度卻沒比自己的22nm planar MOSFET高多少)
而三爽花了更久時間才搞出14nm FinFET 自爆晶片 轟動全球
2014年 Intel開始推出第2代FinFET technology 採用SADP 進一步提高密度及效能
(這不是Intel發明的 但卻是第一個用在邏輯製成來量產的)
再Intel 量產了三年後 在本年度GG要推出的10nm FinFET “預期”會採用此技術
(也有可能不會 繼續採用原本的多重曝光製程 而在下一代直接跳EUV)
今天講這些不是要吹噓Intel有多成功 畢竟有成功就會有失敗
WIMAX, mobile 都是讓Intel栽了不小的跟斗
繪圖晶片intel也是太晚才起步 以及太固執再X86而失去先機
這些失敗例子大家都知道 R&D本來就是一種投資
而投資有賺就有賠 誰能保證投資只賺不賠
你們這種嘲笑Intel投資失利的思維 跟標準台灣慣老闆有何不同
難怪台灣沒有真正的RD
回歸正題 到半導體製程的技術開發上
Intel在這領域的貢獻 不是你們幾個無知的學生腦粉喊喊就可以被忽略的
如果你們是GG的員工 那我只能替GG感到悲哀
竟然請到這種素質的 連做點基本功課都不會 摳聯捏
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