東芝投入17.5億美元建3D NAND新廠、將在2 - 工程師

[情報] 東芝投入17.5億美元建3D NAND新廠、將在2019年量產

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東芝於2017年7月底宣布新計劃，將投入17.5億美元興建新3D NAND快閃記憶體生產基地。
新廠房會在2018年中完成，晶圓廠將在2018年底開始生產第一批3D NAND晶圓片，而晶圓
廠將會在2019年開始量產。

因應市場趨勢，目前NAND快閃記憶體市場供不應求，公司預計在下一個晶圓廠的第一階段
就達到最高生產量。眼看三星的產能的大幅增長，也是東芝想要極限地提高製造廠產能的
另一個原因。目前其他任何製造商的NAND快閃記憶體產量都無法超越東芝和Western
Digitals(已收購東芝的合作夥伴SanDisk)在日本三重縣的生產基地，而東芝一定會竭盡
全力保持現下的狀態。

除了新的生產廠房，東芝還計劃在晶圓廠附近建造一個新的記憶體研發中心，集中公司內
部所有NAND快閃記憶體的研發活動，以加快技術發展。而且，將研發和生產地相鄰有助於
流程簡化，提高競爭力。

東芝宣稱新晶圓廠將擁有3D NAND獨家技術BiCS (Bit Cost Scalable)NAND，由於其特殊
的U形NAND串與BiCS同尺寸其他類型相較，更有效率。

目前，東芝和Western Digital在最近開設的Fab 2（如圖）中生產3D NAND，也開始將
Fab 5轉換為3D NAND的廠房。因此，若Western Digital也參與東芝新廠投資，三年後他
們將擁有三條3D NAND生產線及廠房。在此之前，他們將不得不仰賴以改進Fab 5和現有晶
圓廠，作為提升生產的主要手段。

現在東芝和Western Digital持續生產48層BiCS 3D NAND記憶體。這種類型的快閃記憶體
大多應用在嵌入式及可移動式裝置，但除了2016年稍早東芝推出的BGA SSD以外，目前不
用於固態硬碟(Solid State Disk，SSD)。Western Digital證實，客戶已經收到64層
BiCS NAND晶片的樣品，並準備在2017上半年開始開始批量生產此類IC。

過去，東芝持續投資NAND快閃記憶體並供貨給客戶SanDisk，並與Western Digital合作進
行3D NAND快閃記憶體的生產，後來Western Digital收購SanDisk。之後，Western
Digital對東芝拋售TMC半導體業務的行為持反對意見，並訴諸法律訴訟。聲稱東芝此舉並
未諮詢Western Digital意見，已違反當初雙方所簽定的合資協議。

三星電子未來3年至少投資186億美元擴建新晶圓廠、DRAM、3D NAND記憶體廠
三星電子計畫未來四年在南韓投資至少186億美元（21.4兆韓圜），興建DRAM及3D Nand
Flash記憶體晶片與智慧型手機用的下一代面板工廠。期望能夠持續維持其在半導體與智
慧型手機面板的地位。其中，在平澤市的新NAND型快閃記憶體工廠將斥資14.4兆韓圜，另
外也計劃投資華城記憶體晶片6兆韓元，以興建新生產線。至於將在中國大陸西安投入70
億美元增設一條NAND生產線。

根據DRAMeXchange最新調查報告，目前2017年第二季三星在全球NAND記憶體市占為35.6%
，東芝以17.5%排行第二，美國威騰電子、美光及SK海力士則分占17.5%、12.9%及9.9%。

大舉投資，產生3D NAND flash產能過剩疑慮
由於智慧型手機與伺服器性能不斷提高，加上市場對於數據中心、人工智慧、無人駕駛汽
車的需求不斷出現，使得三星等半導體廠紛紛投資設備，尤其對3D NAND更是首選。但是
，大手筆投資，也讓市場憂心忡忡，怕過度投資常會造成產能過剩、削弱價格。而且，未
來幾年三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝/SanDisk、武漢新芯(XMC)/長江存儲
(Yangtze River Storage)都大舉提高3D NAND flash產能，未來可能還有中國新業者加入
戰場，3D NAND flash產能過剩很可能會發生。

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