狠甩三星！台積大突破 2奈米超進度 - 工程師

狠甩三星！台積大突破 2奈米超進度


台積電（2330）2奈米製程研發獲重大突破。供應鏈透露，有別於3奈米與5奈米採用鰭式

場效電晶體（FinFET）架構，台積電2奈米改採全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架

構，研發進度超前，業界看好2023年下半年風險性試產良率即可達九成，助攻未來持續拿

下蘋果、輝達等大廠先進製程大單，狠甩三星。




半導體製程一路微縮，面臨物理極限，業界原憂心不利摩爾定律延續，也就是過往每18個

月推進一個製程時代的腳步受阻，使得台積電等半導體大廠先進製程發展受影響。





三星預計年底才投入5奈米製程，落後台積。隨著台積電在2奈米新製程節點有重大突破，

宣示台積電將可延續摩爾定律發展，更確定未來朝1奈米推進可能性大增，進一步擴大與

三星的差距。台積電向來不對訂單等動態置評，且迄今仍低調未對外透露2奈米製程細節

，僅表示2奈米將是全新架構。





業界人士指出，2020年台灣國際半導體展（SEMICON TAIWAN）將在本周三（23日）登場，

台積電董事長劉德音受邀進行主題演講，市場聚焦台積電先進製程研發對人工智慧（AI）

、第五代行動通訊（5G）推動影響，並關注劉德音釋出的台積電先進製程研發近況。






據悉，台積電去年成立2奈米專案研發團隊，尋找可行路徑進行開發，考量成本、設備相

容、技術成熟及效能表現等多項條件，2奈米採以環繞閘極（GAA）製程為基礎的MBCFET架

構，解決FinFET因製程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題，在極紫外光（EUV）微顯

影技術提升，使台積電研發多年的奈米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術更為成熟，良率提

升進度較預期順利。






台積電總裁魏哲家日前於玉山科技協會晚宴專講時透露，台積電製程每前進一個世代，客

戶產品速度效能增加30%至40%，功耗可以降低20%至30%。





供應鏈認為，以台積電2奈米目前研發進度研判，2023年下半年可望進入風險性試產，

2024年正式量產。台積電先前揭示2奈米研發生產將落腳新竹寶山，規劃P1到P4四個超大

型晶圓廠，占地90多公頃。




業界認為，台積電2奈米良率及效能值得期待，推出即可望獲蘋果、輝達、高通、超微等

大客戶採用，陸續轉到2奈米投片。尤其輝達收購安謀（ARM）後，朝超級電腦、超大規模

資料中心等高速運算前進，未來將更仰賴與台積電合作。



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