碳化矽SiC小檔案》第三代半導體材料 可 - 工程師

By Una
at 2020-02-23T22:47
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碳化矽SiC小檔案》第三代半導體材料 可取代部分矽晶圓
自由時報
https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1353343
碳化矽(SiC)是第三代半導體材料,具備高導熱性、高穿透率、高飽和電子漂移速率和
寬能隙能等特性,可滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻、微型輕量化,以及
抗輻射等惡劣條件的新要求,是安定度非常高的化合物半導體。
至於應用面,以碳化矽製成的碳化矽晶圓(片)在效能上比目前矽晶圓表現更佳,多應用
在高壓高速產品,如高鐵、風力發電系統等重電設施,但未來在自駕車以及電動車的趨勢
下,碳化矽晶圓的高散熱優勢,即可取代部分矽晶圓,成為未來的發展趨勢
(記者張慧雯)
--
自由時報
https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1353343
碳化矽(SiC)是第三代半導體材料,具備高導熱性、高穿透率、高飽和電子漂移速率和
寬能隙能等特性,可滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻、微型輕量化,以及
抗輻射等惡劣條件的新要求,是安定度非常高的化合物半導體。
至於應用面,以碳化矽製成的碳化矽晶圓(片)在效能上比目前矽晶圓表現更佳,多應用
在高壓高速產品,如高鐵、風力發電系統等重電設施,但未來在自駕車以及電動車的趨勢
下,碳化矽晶圓的高散熱優勢,即可取代部分矽晶圓,成為未來的發展趨勢
(記者張慧雯)
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