美光宣布 全球首款232層NAND型記憶體正式出貨
2022-07-27 11:08 聯合報／ 記者簡永祥／台北即時報導
美商記憶體大廠美光今宣布全球首款232層儲存型快閃記憶體（NAND Flash） 已正式量產
，該產品採用業界頂尖的創新技術，將為儲存解決方案帶來前所未有的效能。它具備業界
最高的單位儲存密度（areal density），並提供與前幾代 NAND 相比更高的容量和更佳
的能源效率，能提供從終端使用者到雲端之間大部分數據密集型應用最佳支援。
美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示，美光的232層NAND晶片，為儲存裝置創
新的分水嶺，首次證明了美光具有將3D NAND擴展到200層以上的製造能力。這項開創性的
技術涵蓋諸多層面的創新，包括建立高深寬比結構的先進製程能力、新型材料的開發，以
及針對美光獨步業界的176 層NAND技術所進行的設計改進。
他進一步表示，隨著全球數據量持續攀升，儲存容量和性能的提升勢在必行，同時，美光
的客戶也必須減少能源消耗以滿足更嚴格的環境永續發展要求。
他強調，美光的232層NAND技術不僅具備必要的高性能儲存，可以支援資料中心和汽車應
用所需的先進解決方案和即時服務，也能提供行動裝置、消費性電子產品和個人電腦所需
的回應速度及沉浸式體驗。此技術節點達到了現今業界最快的 NAND I/O 速度：2.4 GB/s
，將滿足以數據為中心的工作負載（如人工智慧、機器學習、非結構化資料庫和實時分析
、雲端運算等）的低延遲和高吞吐量需求。
和前一代產品相比， 比美光176層製程節點所提供最高速的介面數據傳輸速度快50%、 每
顆晶粒寫入頻寬提高100%，讀取頻寬亦增加超過 75%，這些優勢將進一步強化 SSD 和嵌
入式 NAND 解決方案的性能和能源效率。
此外，美光232層 NAND引進全球首款六平面（6-Plane） TLC 生產型 NAND，是所有 TLC
快閃記憶體3中每晶粒擁有最多平面的產品，且每個平面都有獨立的讀取能力。 傑出的
I/O 速度和讀寫延遲表現，結合美光的六平面架構的結合，將實現許多配置的最佳資料
傳輸能力。此架構可以減少讀寫命令之間的衝突，進而改善系統級服務品質。
232 層 NAND 的發布是美光在研究、開發和製程技術提升方面皆處於領導地位的成果，它
的突破性功能將助我們的客戶在資料中心、更輕薄的筆記型電腦、最新的行動裝置和整個
智慧邊緣領域提供更多創新解決方案。
美光的232層 NAND 目前正在新加坡晶圓廠量產，會優先以封裝顆粒形式及透過美光
Crucial SSD 消費性產品系列向客戶出貨，並於日後發佈更多產品和供貨資訊。
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