能蝕刻出高深寬比的DRIE設備 - 工程師

Ingrid avatar
By Ingrid
at 2015-01-01T20:16

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請問一下
DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反應式離子蝕刻)設備
它可以在矽基板蝕刻出具有高深寬比，及良好垂直側壁
但如果想要在整片Wafer蝕刻出來的結果，深度要維持一致性
例如蝕刻深度要200μm，但整片wafer不同位置蝕刻的深度誤差要控制在1μm以下
即199μm~201μm之間，目前做出來的結果不容易達到，
側壁也能達到幾乎接近90°
請問有什麼設備機台，或是有更高階的設備，或產學單位可以達到這樣的規格要求呢？
謝謝。

補充：或是有蝕刻設備的廠商也請提供。目前知道辛耘。
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All Comments

Eartha avatar
By Eartha
at 2015-01-06T19:16
ICP? lower pressure+higher plasma density
Madame avatar
By Madame
at 2015-01-06T22:02
3DIC嗎？
Jacky avatar
By Jacky
at 2015-01-10T12:55
ICP有用到SF6、 C4F8，DRIE用到SF6、 C4F8,3DIC或MEMS
Lucy avatar
By Lucy
at 2015-01-12T15:43
你要咬tsv的via嗎
Caitlin avatar
By Caitlin
at 2015-01-17T02:02
TSV的via也是，用DRIE來蝕刻Trench,要放入其他component
Ida avatar
By Ida
at 2015-01-19T06:05
TSV之後會用到
Christine avatar
By Christine
at 2015-01-19T17:50
要看選擇的氣體跟停止層金屬
Hedwig avatar
By Hedwig
at 2015-01-21T19:58
機台應該不難找人，如AMAT
Todd Johnson avatar
By Todd Johnson
at 2015-01-22T19:08
氣體用SF6蝕刻，C4F8鈍化，停止層的金屬待確認
Todd Johnson avatar
By Todd Johnson
at 2015-01-24T08:01
蝕刻設備就屬TEL跟LRM兩家比較強。你講的是uniformity 的
John avatar
By John
at 2015-01-27T00:35
問題。跟chemistry沒有絕對關係。high Vdc比較有機會達到
Ingrid avatar
By Ingrid
at 2015-01-27T21:43
不過可能會衍生出loading的問題。
Olive avatar
By Olive
at 2015-01-28T22:45
小線寬si吃不動(約0.2um) 想問有其他方法嗎
Leila avatar
By Leila
at 2015-01-31T02:14
吃不用深 約0.2～0.5um 乾和ICP已是過 濕有晶向問題
Franklin avatar
By Franklin
at 2015-01-31T06:25
不知道有什麼方法 謝謝
Margaret avatar
By Margaret
at 2015-02-04T16:46
小pitch吃不動有可能是polymer太重。蝕刻氣體選擇要注意。
Harry avatar
By Harry
at 2015-02-08T15:21
如果使用比較depo的氣體 如C4F8 power就不要開太高。
Doris avatar
By Doris
at 2015-02-10T20:36
原PO不介意可至MEMS版討論，我不清楚業界但可提供學
Candice avatar
By Candice
at 2015-02-11T13:10
界經驗。至於t兄的問題，十之八九是黃光沒做好。
Margaret avatar
By Margaret
at 2015-02-15T00:26
沒有找到MEMS版，請問版名是什麼呢？
Vanessa avatar
By Vanessa
at 2015-02-15T07:33
要求均勻性與under cut?

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