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能蝕刻出高深寬比的DRIE設備 - 工程師

Ingrid avatarIngrid · 2015-01-01

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請問一下
DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反應式離子蝕刻)設備
它可以在矽基板蝕刻出具有高深寬比，及良好垂直側壁
但如果想要在整片Wafer蝕刻出來的結果，深度要維持一致性
例如蝕刻深度要200μm，但整片wafer不同位置蝕刻的深度誤差要控制在1μm以下
即199μm~201μm之間，目前做出來的結果不容易達到，
側壁也能達到幾乎接近90°
請問有什麼設備機台，或是有更高階的設備，或產學單位可以達到這樣的規格要求呢？
謝謝。

補充：或是有蝕刻設備的廠商也請提供。目前知道辛耘。
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工程師

All Comments

Eartha avatarEartha2015-01-06
ICP? lower pressure+higher plasma density
Madame avatarMadame2015-01-06
3DIC嗎？
Jacky avatarJacky2015-01-10
ICP有用到SF6、 C4F8，DRIE用到SF6、 C4F8,3DIC或MEMS
Lucy avatarLucy2015-01-12
你要咬tsv的via嗎
Caitlin avatarCaitlin2015-01-17
TSV的via也是，用DRIE來蝕刻Trench,要放入其他component
Ida avatarIda2015-01-19
TSV之後會用到
Christine avatarChristine2015-01-19
要看選擇的氣體跟停止層金屬
Hedwig avatarHedwig2015-01-21
機台應該不難找人，如AMAT
Todd Johnson avatarTodd Johnson2015-01-22
氣體用SF6蝕刻，C4F8鈍化，停止層的金屬待確認
Todd Johnson avatarTodd Johnson2015-01-24
蝕刻設備就屬TEL跟LRM兩家比較強。你講的是uniformity 的
John avatarJohn2015-01-27
問題。跟chemistry沒有絕對關係。high Vdc比較有機會達到
Ingrid avatarIngrid2015-01-27
不過可能會衍生出loading的問題。
Olive avatarOlive2015-01-28
小線寬si吃不動(約0.2um) 想問有其他方法嗎
Leila avatarLeila2015-01-31
吃不用深 約0.2～0.5um 乾和ICP已是過 濕有晶向問題
Franklin avatarFranklin2015-01-31
不知道有什麼方法 謝謝
Margaret avatarMargaret2015-02-04
小pitch吃不動有可能是polymer太重。蝕刻氣體選擇要注意。
Harry avatarHarry2015-02-08
如果使用比較depo的氣體 如C4F8 power就不要開太高。
Doris avatarDoris2015-02-10
原PO不介意可至MEMS版討論，我不清楚業界但可提供學
Candice avatarCandice2015-02-11
界經驗。至於t兄的問題，十之八九是黃光沒做好。
Margaret avatarMargaret2015-02-15
沒有找到MEMS版，請問版名是什麼呢？
Vanessa avatarVanessa2015-02-15
要求均勻性與under cut?