請問有大大知道Pattern density嗎? - 工程師

By Rachel
at 2017-07-30T00:15

Table of Contents

如題
請問大大知道Pattern Density effect嗎?(也有人稱為Loading effect)
知道Pattern Density與u-trench/fence/facet的關係嗎?
Pattern Density 與EPD(End point detection)之間有何關係嗎?

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Tags: 工程師

All Comments

By Frederica
at 2017-08-02T07:21

轉到蝕刻半年你就懂了

By James
at 2017-08-04T01:09

哈哈居然看的懂！

By Annie
at 2017-08-04T20:54

颱風天問這個真是有向學的心，我不是蝕刻，但是我覺得
你問的問題paper 上有喔，試著找找看吧！

By Madame
at 2017-08-05T20:53

難得清流！加油

By Tristan Cohan
at 2017-08-07T17:53

Clear ratio

By Odelette
at 2017-08-12T01:24

曝光後特定區域吃得慢叫Macroloading effect, 反之叫Mic

By Charlie
at 2017-08-14T23:41

roloading effect ?? 剛查到的, 我最近也suffered這問題
一陣子~~

By Noah
at 2017-08-15T06:28

我的理解啦macroloading effect 是指etch時因為面積太小，
所以吃不下去， loading effect 是因為die有些地方有patte
rn有些地方沒有，所以在一起etch時，會吃不均勻～～

By Xanthe
at 2017-08-18T09:58

sorry,請把macro改成micro

By Necoo
at 2017-08-19T06:59

還在學習, 感謝Vm大大~~

By Doris
at 2017-08-20T19:55

給你關鍵字 ARDE 與 RIE lag 有興趣可以多看看

By Valerie
at 2017-08-21T21:25

第二個問題的話通常來講 PR在wafer上佔的面積越少
Endpoint越好抓

By Candice
at 2017-08-23T12:31

原因是有顯開的地方才是主要蝕刻的部分若蝕刻都在
吃光阻 endpoint訊號是要抓什麼XD

By Quanna
at 2017-08-26T04:23

樓上EPD觀念有問題唷。End point capture主要不是看hole
內或trench內。主要是看hole外的by product或是反應物。

By Freda
at 2017-08-29T03:57

一般hole沒有EP

By Tom
at 2017-09-02T02:37

對蝕刻而言哪有分hole的內外外就是光阻內就是沒
光阻才吃的下去 ep就是再抓沒光阻的地方 gas跟被蝕
刻物的反應物發出的emission spectra

By Suhail Hany
at 2017-09-04T15:37

所以如果今天hole的open ratio足夠大 , wafer上滿
滿的洞是有可能抓得到ep的

By Adele
at 2017-09-05T22:37

這部分歡迎站內討論剛好最近有遇到相關的issue

By Andrew
at 2017-09-08T07:39

一般來說hole要夠多夠大才有機會抓，一般的contact ,via
就別想了。此外，有一種蝕刻過程中可以直接計算蝕刻深度
的，忘了簡寫，也許有機會透過偵測PR thickness來當EP

晶元光電系統資訊工程師

By Lydia
at 2017-07-29T21:32

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