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請問有大大知道Pattern density嗎? - 工程師

Rachel avatarRachel · 2017-07-30

Table of Contents

如題
請問大大知道Pattern Density effect嗎?(也有人稱為Loading effect)
知道Pattern Density與u-trench/fence/facet的關係嗎?
Pattern Density 與EPD(End point detection)之間有何關係嗎?


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工程師

All Comments

Frederica avatarFrederica2017-08-02
轉到蝕刻半年你就懂了
James avatarJames2017-08-04
哈哈 居然看的懂！
Annie avatarAnnie2017-08-04
颱風天問這個真是有向學的心，我不是蝕刻，但是我覺得
你問的問題paper 上有喔，試著找找看吧！
Madame avatarMadame2017-08-05
難得清流！ 加油
Tristan Cohan avatarTristan Cohan2017-08-07
Clear ratio
Odelette avatarOdelette2017-08-12
曝光後特定區域吃得慢叫Macroloading effect, 反之叫Mic
Charlie avatarCharlie2017-08-14
roloading effect ?? 剛查到的, 我最近也suffered這問題
一陣子~~
Noah avatarNoah2017-08-15
我的理解啦macroloading effect 是指etch時因為面積太小，
所以吃不下去， loading effect 是因為die有些地方有patte
rn有些地方沒有，所以在一起etch時，會吃不均勻～～
Xanthe avatarXanthe2017-08-18
sorry,請把macro改成micro
Necoo avatarNecoo2017-08-19
還在學習, 感謝Vm大大~~
Doris avatarDoris2017-08-20
給你關鍵字 ARDE 與 RIE lag 有興趣可以多看看
Valerie avatarValerie2017-08-21
第二個問題的話 通常來講 PR在wafer上佔的面積越少
Endpoint越好抓
Candice avatarCandice2017-08-23
原因是有顯開的地方 才是主要蝕刻的部分 若蝕刻都在
吃光阻 endpoint訊號是要抓什麼XD
Quanna avatarQuanna2017-08-26
樓上EPD觀念有問題唷。End point capture主要不是看hole
內或trench內。主要是看hole外的by product或是反應物。
Freda avatarFreda2017-08-29
一般hole沒有EP
Tom avatarTom2017-09-02
對蝕刻而言哪有分hole的內外 外就是光阻 內就是沒
光阻才吃的下去 ep就是再抓沒光阻的地方 gas跟被蝕
刻物的反應物發出的emission spectra
Suhail Hany avatarSuhail Hany2017-09-04
所以如果今天hole的open ratio足夠大 , wafer上滿
滿的洞 是有可能抓得到ep的
Adele avatarAdele2017-09-05
這部分歡迎站內討論 剛好最近有遇到相關的issue
Andrew avatarAndrew2017-09-08
一般來說hole要夠多夠大才有機會抓，一般的contact ,via
就別想了。此外，有一種蝕刻過程中可以直接計算蝕刻深度
的，忘了簡寫，也許有機會透過偵測PR thickness來當EP