重回摩爾定律兩大武器 EUV＋三五族成大 - 工程師

重回摩爾定律兩大武器 EUV＋三五族成大勢所趨

2016年04月05日 04:09 涂志豪／台北報導

英特爾在14奈米及10奈米製程推進出現延遲，已影響到處理器推出時程，也讓業界及市場
質疑：摩爾定律是否已達極限？不過，英特爾仍積極尋求在7奈米時代重回摩爾定律的方
法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術世代交替的極紫外光（EUV），以及開始
採用包括砷化銦鎵（InGaAs）及磷化銦（InP）等三五族半導體材料。

摩爾定律能否持續走下去，主要關鍵在於微影技術難度愈來愈高。目前包括英特爾、台積
電、三星等大廠，主要採用多重曝光（multi-patterning）的浸潤式微影（immersion
lithography）技術，但當製程技術走到10奈米世代時，高密度的邏輯IC需要進行至少4次
的曝光製程，製造成本自然大幅拉高。

為了解決微影曝光製程的成本問題，半導體大廠近幾年已著手進行EUV微影技術的研發，
近一年來，EUV技術雖然有明顯突破，但在量產上仍未達到該有的經濟規模。不過，根據
EUV設備大廠艾司摩爾（ASML）的說明，今年若能將每日曝光晶圓產能提高到超過1,500片
，將有助於業界開始採用EUV技術。

英特爾已規畫在7奈米製程開始採用EUV技術，若是可以達到量產經濟規模，則英特爾可望
在7奈米世代重新回到摩爾定律的循環。至於台積電部份，已計畫在7奈米開始進行試產，
若一切順利，將可在5奈米世代開始導入EUV技術。不論英特爾或台積電，EUV量產的時間
點約落在2020年左右。

半導體材料也是延續摩爾定律的重要改變。英特爾已開始試著採用包括砷化銦鎵（InGaAs
）及磷化銦（InP）等三五族半導體材料，希望能夠在7奈米之後進行材料上的改變，只要
能重回摩爾定律的循環，英特爾的處理器發展策略就可回到二年循環的軌道。

台積電16奈米開始採用鰭式場效電晶體（FinFET）製程，而10奈米及7奈米世將延續採用
FinFET技術，而到5奈米之後，也已計畫更改半導體材料。據了解，台積電很有可能會在5
奈米世代採用InGaAs的三五族半導體材料，來維持摩爾定律的有效性。

http://www.chinatimes.com/newspapers/20160405000104-260204

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三五族等了五十年要起飛了?

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