領先三星、格羅方德！台積電 ISSCC 2017 - 工程師

之前看到有新聞說
台G 16 nm/三星 14 nm大概跟intel的20 nm效能差不多而已
請問是真的嗎?
可是這樣看起來台G蠻威的阿
7nm FinFET都要出來了
雖然一直聽說Intel的製程技術領先台積1-2個世代
然後它也想加入代工戰局(Morris爺爺說 Intel想試水溫 會發現水很冰冷)
請問就這次ISSCC的新聞來說 台G的製程能力請問趕上Intel了嗎?


※ 引述《qq1234 (123站著穿)》之銘言：
: 來源：http://technews.tw/2016/11/15/tsmc-in-isscc/
: 領先三星、格羅方德！台積電 ISSCC 2017 首揭 7 奈米 FinFET 技術
: 台積電、三星、格羅方德等半導體大廠開啟在 7 奈米製程爭戰，而現在台積電有望領先
: 群雄在 2017 年國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits
: Conference，ISSCC）率先發表 7 奈米 FinFET 技術！
: 全球 IC 設計領域論文發表最高指標國際固態電路研討會（ISSCC）下屆確定於 2017 年
: 2 月 5~9 日在美國加州登場，台積電設計暨技術平台組織副總侯永清將擔任特邀報告（
: Plenary Talks）講者。
: 這次台積電 5 篇論文獲選（美國台積電 1 篇），2 篇論文為類比電路領域，記憶體電
: 路設計則有 3 篇。此次 ISSCC 2017 入選的 208 篇文章中，台灣產學研各界領域有 15
: 篇，除了台積電 5 篇，台灣 IC 設計一哥聯發科此次有 4 篇，南亞科轉投資 IC 設計公
: 司補丁科技也有 1 篇獲選，其他交通大學 3 篇、台灣大學 2 篇、清華大學 1 篇。
: 值得關注的是，此次台積電將領先業界在大會上發表 7 奈米 FinFET 技術。揭示迄今最
: 小位元數 SRAM 在 7 奈米 FinFET 的應用，驗證 0.027μm2 256 Mbit SRAM 測試晶片
: 在 7 奈米製程下，能大幅提升手機、平板電腦中央處理晶片運算速度，同時滿足低功率
: 需求。
: 台積電、三星通常以 SRAM、DRAM 來練兵，先從記憶體下手，當良率提升到一定程度再導
: 入邏輯產品。台積電先前預估 10 奈米年底量產、7 奈米最快 2018 年第一季生產，然在
: 英特爾宣布放緩 10 奈米以下製程投入進度後，台積電與三星在 10 奈米、7 奈米先進製
: 程展開激烈纏鬥。
: 三星在 10 月初搶先台積電宣布 10 奈米量產，市場近期傳出台積電 7 奈米最快在明年
: 2017 就可試產、4 月接單，拉升 7 奈米製程戰火。三星在 7 奈米就引進極紫外光（
: EUV）微影設備，力拚 2017 年年底 7 奈米量產。
: 而格羅方德則宣布跳過 10 奈米，直接轉進 7 奈米，預估 2017 年下半可進行產品設計
: 定案（tape out），2018 年初開始風險生產（risk production）。
: （首圖來源：科技新報攝）

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