三星宣布量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAN - 工程師

三星宣布量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體
資料來源：https://technews.tw/2018/07/11/samsung-v-nand-with-over-90-layers/

全球記憶體龍頭廠三星 10 日宣布，正式量產堆疊數高達 90 層的第 5 代 V-NAND 快閃記
憶體。此產品不但堆疊數為目前最高，且還首發 Toggle DDR 4.0 傳輸介面，使傳輸速率達
到 1.4Gbps。

三星 V-NAND 是 3D NAND 快閃記憶體其中一種。目前市場主力還是堆疊數 64 層的第 4 代
V-NAND 快閃記憶體。三星宣布正式量產的是第 5 代 V-NAND 快閃記憶體，核心容量 256G
b 並不算高，但各項性能指標缺不能小覷。它是業界首發支援 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的
V-NAND 快閃記憶體，傳送速率達到 1.4Gbps，相較過去 64 層堆疊的 V-NAND 快閃記憶體
來說，足足提升了 40%。

除了採用新的傳輸介面提升速率，第 5 代 V-NAND 快閃記憶體的性能、功耗也進一步優化
。工作電壓從 1.8V 降至 1.2V，寫入速度也是目前最快的 500us，比上一代 V-NAND 快閃
記憶體提升了 30%。讀取速率的回應時間也縮短到 50us。

三星第 5 代 V-NAND 快閃記憶體內部堆疊超過 90 層 CTF Cell 單元，是目前市面堆疊層
數最高的 3D NAND TLC 架構快閃記憶體。這些儲存單元透過微管道孔洞連接，每個孔洞只
有幾百奈米寬，總計包含超過 850 億個 CTF單元，每個單元可以儲存 3 位元資料。

此外，第 5 代 V-NAND 快閃記憶體在製程技術也有改進，製造生產效率提升了 30%。藉由
先進製程技術，使每個快閃記憶體單元的高度降低了 20%，減少單位之間干擾的發生率，提
高資料處理的效率。三星目前正加強第 5 代 V-NAND 快閃記憶體量產，以便滿足高密度儲
存領域，包括高效能運算、企業伺服器及行動裝置市場的需求。

除了第 5 代 V-NAND 快閃記憶體量產，三星目前還在擴展 V-NAND 快閃記憶體，準備推出
核心容量高達 1Tb 的 NAND 快閃記憶體，及 QLC 架構的快閃記憶體產品，繼續推動下一代
快閃記憶體發展。

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四年翻倍堆疊層數 真的這麼厲害？？

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