三星新晶圓廠採用7奈米EUV微影技術投入量 - 工程師

三星新晶圓廠採用7奈米EUV微影技術投入量產

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三星電子在副董事長李在鎔2020年2月20日在視察V1新廠後，宣布三星7奈米製程採用EUV
極紫外光微影技術的半導體晶圓新廠，已開始量產。

三星表示，在南韓華城市的V1廠採用7奈米製程世代生產晶片，第一批7奈米產品將在今年
(2020)3月交付給客戶。三星表示，V1廠目前以7奈米與6奈米製程技術生產行動晶片，未
來將有3奈米製程。三星電子認為，EUV製程緊跟全球晶圓代工龍頭台積電(TSMC)至關重要
。

截至今年(2020)底，V1廠的累計總投資金額將達到60億美元，而將來能夠完成一條完整生
產線，則其總投資額有望達到20兆韓元(約168億美元)。其實，EUV微影設備的V1廠在2018
年2月開工興建，並於2019年下半年投入晶圓試產。

三星去年宣布，到2030年將投資133兆韓元（相當於1110億美元）擴大非記憶體和晶圓事
業，也就是加大系統半導體投資。所謂系統半導體(System Semiconductors)大致分為：
基於CPU的微型零組件、基於AP的邏輯IC，模擬IC和光學半導體市場。目前，雖然英特爾
領先於CPU市場，而高通和德州儀器分別是移動AP和模擬IC市場的領先公司。但是，未來
市場很巨大，其他業者及三星電子仍有機會切入。

南韓總統文在寅於2019年在參訪三星電子京畿道華城廠，曾宣示政府培植系統半導體的決
心，2030年達三項目標，就是成為全球晶圓代工第一、無晶圓 (也就是晶圓設計) 全球市
佔達10%，及積極培植非記憶體技術搶全球市場。文在寅總統表示，政府將擴大半導體領
域的投資。自明年(2020)起，政府將啟動一項價值1兆韓元的半導體技術發展計畫，並保
住領先技術以轉移到下世代半導體技術，政府會鼓勵大學設立半導體系所，培育工程師。

為追趕台積電及英特爾在下一代半導體，拉開與中國大陸半導體技術的距離，還有受制於
日本關鍵材料的限制，南韓三星電子正在調整半導體策略。

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