三星計畫在2026年提高晶圓代工產能三倍 - 工程師

三星計畫在2026年提高晶圓代工產能三倍

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三星布局晶圓代工戰略的輪廓愈來愈清楚了，計劃在2021年下半年推出 4奈米製程，並計
劃在3奈米節點使用閘極全環電晶體（Gate-All-Around Field Effect Transistors；
GAA FET），以超越台積電在先進製程採用FinFET技術。

三星為了擴大美國市場，所以一直與美國政府進行談判以迎合美國政府要求，以擴大在德
州奧斯汀的工廠，並可能在紐約、亞利桑那州或德州增設一家晶片製造工廠，計劃投資超
過1500億美元。但尚未透露其最終選擇地點和計劃。

如今，韓國政府更是積極出面，與華盛頓建立一條熱線電話，討論穩定半導體供應的合作
，並在全球晶片短缺的情況下，提升現有產業合作對話管道的水準。

簡單來說，三星從製程技術提升、採用更先進技術、迎合美國設點需求、以及韓國政府出
面協調等面向，全面追趕台積電落後的腳步。如今三星更決定於2026年提高晶圓晶片產能
三倍，搶奪晶圓代工未來成長的市場大餅。

三星表示，將擴大在首爾南部平澤的生產線，並可能在美國建立一家新工廠，以滿足對企
業客戶客製化晶片不斷成長的需求。這家韓國科技巨頭正在努力提高其在晶圓代工業務中
的競爭力，並使其零組件更具成本效益。

不過，有專家表示，三星從未對外透露在5奈米和7奈米等先進節點方面的實際晶片產能，
因此很難理解“三倍”的實際含義。三星重申計劃在2022年上半年，為客戶生產首批3奈
米晶片，而其第二代3奈米晶片則是預計於2023年才開始生產。換個角度來說，三星期望
晶圓代工業務能夠透過3奈米GAA閘極全環製程確保技術領先地位，並通過積極投資滿足需
求，進而獲取市場青睞的成果。

對於三星來說，閘極全環是一種新技術，它使得電晶體更有效，性能提高30%，功耗降低
50%。韓國大信證券預估，三星的晶圓代工銷售額將在五年內增加兩倍，客戶上也可增加
數百名。其進一步預估，三星的客戶數量正處於急劇增加的狀態，從2017年的35個增加到
2021年的100多個，預計到2026年將可超過300個。

韓國大信證券表示，因為三星正在為晶圓代工業務的客戶群提供穩定的平台和合作的生態
系統。畢竟，三星是從記憶體起家，在DRAM與NAND市場的成功，並沒有給三星在邏輯晶片
多少好處。隨著三星歷經多年的技術累積與經驗學習，期望拉進與台積電的差距。

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