三星跳電意外 助漲記憶體 - 工程師

三星跳電意外 助漲記憶體

UDN

https://udn.com/news/story/7240/4262526

全球最大記憶體製造廠南韓三星電子位於華城的工廠在元旦發生意外，引起全球緊張，三
星在華城生產DRAM和儲存型快閃記憶體（NAND Flash），以及採用極紫外光（EUV）的邏
輯代工三大事業，儘管三星表示，會在最短時間內恢復生產，但市場正密切注意後續復工
，預期這項停工恐助漲DRAM和NAND Flash本季漲勢。

外電報導，三星位於南韓華城的工廠，在跨年夜發生短暫跳電，華城廠區內的部分工廠短
暫停電，後來立即恢復供電，但三星仍決定停工進行產線檢查，在了解受損程度後，希望
在最短時間內恢復生產。推估至少要二到三天。

外電透露，三星華城廠區這次跳電事件，影響的包括生產DRAM 的 Line 12 產線，和生產
NAND Flash 的 Line 13 產線，另外，還有採用 EUV 技術生產邏輯晶片。

市場人士估計，三星華城的DRAM和NAND Flash產線，雖然設立已有一段時間，但也是三星
DRAM和NAND Flash主力產線，至於採用EUV先進設備的產線，製程較新，影響更為嚴重。

至於為何發生跳電的原因，目前並不清楚。一般而言，晶圓廠的供電系統都設計有兩套迴
路，分別由兩個不同的變電所來供電，降低因意外而發生跳電的風險。不過，如果發生大
規模的天然災害，例如地震而導致電廠停止運轉的情況，這部分就另當別論。因此，這次
南韓三星華城廠區在無發生重大天然災害情況，卻發生跳電，這部分也是三星內部必須停
工檢查的主要關鍵。

不過，去年日本東芝位於三重縣的廠區因地震發生跳電，經歷長達半年才恢復生產，造成
市場NAND Flash供貨短缺，去年7月NAND Flash現貨止跌急漲，去年第4季和今年第1季價
格也喊漲，三星華城廠跳電，如果停工期拉長，也勢必影響整體DRAM和NAND Flash供應。

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