三星電子開始量產136層第六代V-NAND SSD - 工程師

三星電子開始量產136層第六代V-NAND SSD

新聞來源：https://bit.ly/33fGDJ3

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三星電子於2019年8月6日宣布，已開始批量生產250千兆字節（GB）SATA固態硬碟（SSD）
，該硬碟是一個三位元V-NAND，集成了該公司的第6代（1xx層）256千兆位（Gb）。目前
，已進行SSD交付給全球PC製造商。

該新款SSD基於超過100層的第六代V-NAND，具有快速的數據傳輸速率。

該公司稱其新的V-NAND利用3D記憶體提升，突破目前的電池堆疊限制。新產品為之前的9x
層單層結構增加了大約40％的單元。該公司構建由136層組成的導電模具疊層實現了這一
目標，然後從上到下垂直穿透圓柱形孔，形成均勻的3D電荷陷阱閃光（CTF）單元。該公
司稱這種方法為“通道孔蝕刻”(channel hole etching)技術。

隨著每個單元區域中的模具堆疊的高度增加，NAND閃存晶片往往更容易受到錯誤和讀取延
遲的影響。三星表示，它通過採用速度優化的電路設計克服了這些限制。

該公司表示，這種速度優化設計使其能夠提供超過300層的下一代V-NAND解決方案，只需
安裝三個電流堆即可構建，而不會影響晶片性能或可靠性。

利用高速和低功耗特性，三星計劃將擴大3D V-NAND版圖的範圍到下一代行動裝置和企業
伺服器等領域，還可針對高可靠性的汽車市場。

從企業的250 GB SSD開始，三星電子計劃在今年(2019)下半年提供512 Gb三位元V-NAND
SSD和eUFS。該公司還計劃從明年開始在其南韓Pyeongtaek園區第六代V-NAND解決方案擴
大生產，以滿足全球客戶的需求。

據市場研究公司IHS Markit表示，三星電子在今年第一季的DRAM市占率40.6％，NAND約
34.1％，排名第一。三星在DRAM市場上與SK海力士（29.8％）以及在NAND市場與東芝（
18.1％），仍保持一定領先。

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