中芯7/5奈米繞道觸碰敏感神經 梁孟松領 - 工程師
By Tristan Cohan
at 2022-07-22T12:10
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中芯7/5奈米繞道觸碰敏感神經 梁孟松領軍不放棄先進製程
中芯先進製程近年來遭美國政府卡脖,也使得中芯不再高調,14奈米以下進展極為機密,
不過,可觀察的是,只要梁孟松等團隊在中芯,領軍半導體國家隊的中芯,對於先進製程
就絕對不會放棄。
近日針對MinerVa新品礦機採用中芯7奈米製程生產,消息一出也引發各方關注,皆相當疑
惑沒有ASML的EUV設備支持,中芯如何實現7奈米製程量產且產品上市目標。
中芯在梁孟松於2017年10月加入後,所帶領的團隊加速推進研發實力成績顯著,2019年高
調宣布中國14奈米FinFET製程已研發成功,此為先進製程布局三階段中的首階段,第二階
段則為12奈米製程技術,預計在2020年上半開始貢獻營收,第三階段則是第二代FinFET製
程(N+1技術),當時希望2020年實現小規模生產。
據梁孟松先前表示,N+1製程相當於台積電的第一代7奈米製程,而持續研發的N+2製程,
則相當於台積電的7奈米EUV強化版製程。
值得注意的是,梁孟松曾表示,N+1、N+2製程都不會採用EUV技術,待設備就緒之後,N+2
之後才會全面轉進EUV微影製程世代,此也被業界認為此策略仿效台積電7奈米與7奈米EUV
世代作法。在國家傾全力扶持下,中芯對於14奈米及後續製程推進度相當樂觀。
然而,美中貿易戰擴大為半導體科技大戰後,有著華為在前慘痛卡脖範例,肩負中國半導
體自主大計的中芯,行事作風也轉趨低調。
事實上,中芯不僅已遭美方列入先進製程半導體設備材料出口管制實體清單,當時也禁止
10奈米製程以下美企設備出貨予中芯,10奈米以上設備銷售則須審核批淮,拜登政府延續
川普時期的策略,持續收緊與嚴控中國半導體產業鏈發展,此也對於中芯或是華虹等產業
鏈帶來極大壓力,也因此,中芯行事作風收斂,製程發展也不再全面公開。
自2020年第2季起,中芯改變了各製程營收貢獻度的形式,原本分別列出的14與28奈米,
改為合併揭露,因此看不出14奈米的貢獻,此外,在2022年第1季財報中,更是全面未披
露各製程節點營收貢獻度數據,改為並無太大參考價值的8吋與12吋晶圓的營收貢獻度,
此舉也被認為持續發展且有成績的中芯,不想再踩美方紅線,以避免又遭箝制。
與其他晶圓代工大廠一樣,2020、2021年大享產能供不應求榮景的中芯,相較各廠,對於
擴產與製程推進則是相當低調,讓外界認為中芯就在28奈以上製程穩穩賺就好。然而,近
日的一則未經中芯證實的7奈米代工消息,恐將再度觸碰美國政府敏感神經。
據研究機構TechInsights最新拆解報告發現,MinerVa Semiconductor新品礦機的SoC,採
用中芯7奈米製程,新機並已全面上市。進一步分析指出,中芯採用的是應用N+2製程技術
,等級如台積電7奈米強化版。也讓不少人認為,沒有EUV設備的中芯,N+2製程竟也能達
到台積電的7奈米EUV強化版水平。
事實上,台積電前研發副總、浸潤式微影之父林本堅於2021年底就曾直言,儘管在多方箝
制下,中芯的技術至少可做到5奈米應沒問題,不一定非得要用高階昂貴的EUV設備技術才
能實現,此番言論也打破外界認為中芯在28與14奈米奈米止步的預測。
半導體業者也表示,DUV機台多用在成熟製程晶片生產,但先前三星、台積電也都有用在7
奈米製程世代,透過DUV的193奈米浸潤式ArF微影生產。台積電數年前就表示,7奈米製程
於2018年4月正式量產,第二代7奈米(N7+)技術於2019年上半量產,為業界首個商用EUV製
程技術。
但中芯若想迂迴以DUV多重曝光,來達到與EUV的13.5奈米波長等效,在整體成本與良率上
將付出高昂代價。
不過如林本堅所言,儘管製造困難與成本過高,中芯願意付、也付得起,只要能量產就是
一大成功,規模大小是另一回事,因此中芯即使在沒有EUV設備下,推進至5奈米應該還可
以,然此鉅額研發支出能撐多久,本土手機、AI晶片廠誰會大量採用都是問題。
現階段在美方嚴控下,中國半導體自主推進之路不時就將卡關,以ASML來說,雖是荷蘭企
業,但光源來自於美國Cymer,光學模組來自德國蔡司,計量設備來自美國,關鍵零組件
來自多國供應鏈採購,除了台積電外,ASML算是也身不由己的企業。
半導體設備業者就表示,除了台積電是大家的衣食父母外,中國半導體產業早已全球前十
大設備甚至所有設備材料廠的最大市場,美國政府可以箝制中芯等業者,但手段太過激烈
,除了引發全球政經動盪劇烈外,恐將適得其反,畢竟,眾多設備材料產業鏈都是美國大
廠所掌控,眾廠產品無法出口中國,營收恐將大跌。
中國發展半導體自主技術與國產化的意圖強勁,但在目前的箝制下,數年應也難進入先進
製程戰局。斷了中芯等中國大陸的EUV與DUV供應,實也斷了中國的晶圓自主製造目標,但
也斷了全球半導體設備材料產業鏈的龐大商機。
https://reurl.cc/D3nvlE
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中芯先進製程近年來遭美國政府卡脖,也使得中芯不再高調,14奈米以下進展極為機密,
不過,可觀察的是,只要梁孟松等團隊在中芯,領軍半導體國家隊的中芯,對於先進製程
就絕對不會放棄。
近日針對MinerVa新品礦機採用中芯7奈米製程生產,消息一出也引發各方關注,皆相當疑
惑沒有ASML的EUV設備支持,中芯如何實現7奈米製程量產且產品上市目標。
中芯在梁孟松於2017年10月加入後,所帶領的團隊加速推進研發實力成績顯著,2019年高
調宣布中國14奈米FinFET製程已研發成功,此為先進製程布局三階段中的首階段,第二階
段則為12奈米製程技術,預計在2020年上半開始貢獻營收,第三階段則是第二代FinFET製
程(N+1技術),當時希望2020年實現小規模生產。
據梁孟松先前表示,N+1製程相當於台積電的第一代7奈米製程,而持續研發的N+2製程,
則相當於台積電的7奈米EUV強化版製程。
值得注意的是,梁孟松曾表示,N+1、N+2製程都不會採用EUV技術,待設備就緒之後,N+2
之後才會全面轉進EUV微影製程世代,此也被業界認為此策略仿效台積電7奈米與7奈米EUV
世代作法。在國家傾全力扶持下,中芯對於14奈米及後續製程推進度相當樂觀。
然而,美中貿易戰擴大為半導體科技大戰後,有著華為在前慘痛卡脖範例,肩負中國半導
體自主大計的中芯,行事作風也轉趨低調。
事實上,中芯不僅已遭美方列入先進製程半導體設備材料出口管制實體清單,當時也禁止
10奈米製程以下美企設備出貨予中芯,10奈米以上設備銷售則須審核批淮,拜登政府延續
川普時期的策略,持續收緊與嚴控中國半導體產業鏈發展,此也對於中芯或是華虹等產業
鏈帶來極大壓力,也因此,中芯行事作風收斂,製程發展也不再全面公開。
自2020年第2季起,中芯改變了各製程營收貢獻度的形式,原本分別列出的14與28奈米,
改為合併揭露,因此看不出14奈米的貢獻,此外,在2022年第1季財報中,更是全面未披
露各製程節點營收貢獻度數據,改為並無太大參考價值的8吋與12吋晶圓的營收貢獻度,
此舉也被認為持續發展且有成績的中芯,不想再踩美方紅線,以避免又遭箝制。
與其他晶圓代工大廠一樣,2020、2021年大享產能供不應求榮景的中芯,相較各廠,對於
擴產與製程推進則是相當低調,讓外界認為中芯就在28奈以上製程穩穩賺就好。然而,近
日的一則未經中芯證實的7奈米代工消息,恐將再度觸碰美國政府敏感神經。
據研究機構TechInsights最新拆解報告發現,MinerVa Semiconductor新品礦機的SoC,採
用中芯7奈米製程,新機並已全面上市。進一步分析指出,中芯採用的是應用N+2製程技術
,等級如台積電7奈米強化版。也讓不少人認為,沒有EUV設備的中芯,N+2製程竟也能達
到台積電的7奈米EUV強化版水平。
事實上,台積電前研發副總、浸潤式微影之父林本堅於2021年底就曾直言,儘管在多方箝
制下,中芯的技術至少可做到5奈米應沒問題,不一定非得要用高階昂貴的EUV設備技術才
能實現,此番言論也打破外界認為中芯在28與14奈米奈米止步的預測。
半導體業者也表示,DUV機台多用在成熟製程晶片生產,但先前三星、台積電也都有用在7
奈米製程世代,透過DUV的193奈米浸潤式ArF微影生產。台積電數年前就表示,7奈米製程
於2018年4月正式量產,第二代7奈米(N7+)技術於2019年上半量產,為業界首個商用EUV製
程技術。
但中芯若想迂迴以DUV多重曝光,來達到與EUV的13.5奈米波長等效,在整體成本與良率上
將付出高昂代價。
不過如林本堅所言,儘管製造困難與成本過高,中芯願意付、也付得起,只要能量產就是
一大成功,規模大小是另一回事,因此中芯即使在沒有EUV設備下,推進至5奈米應該還可
以,然此鉅額研發支出能撐多久,本土手機、AI晶片廠誰會大量採用都是問題。
現階段在美方嚴控下,中國半導體自主推進之路不時就將卡關,以ASML來說,雖是荷蘭企
業,但光源來自於美國Cymer,光學模組來自德國蔡司,計量設備來自美國,關鍵零組件
來自多國供應鏈採購,除了台積電外,ASML算是也身不由己的企業。
半導體設備業者就表示,除了台積電是大家的衣食父母外,中國半導體產業早已全球前十
大設備甚至所有設備材料廠的最大市場,美國政府可以箝制中芯等業者,但手段太過激烈
,除了引發全球政經動盪劇烈外,恐將適得其反,畢竟,眾多設備材料產業鏈都是美國大
廠所掌控,眾廠產品無法出口中國,營收恐將大跌。
中國發展半導體自主技術與國產化的意圖強勁,但在目前的箝制下,數年應也難進入先進
製程戰局。斷了中芯等中國大陸的EUV與DUV供應,實也斷了中國的晶圓自主製造目標,但
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