台積戰三星 攻次世代記憶體 - 工程師

有很意外嗎?看看去年的新聞,從Intel挖個張曉強,
就知道台積電會攻這一塊利基市場

不過這邊還是要推崇一下
Intel NVM (Non-volatile memory) / Phase Change RAM (PRAM)


延伸閱讀:

Intel and Micron Produce Breakthrough Memory Technology
https://newsroom.intel.com/news-releases/intel-and-micron-produce-breakthrough-memory-technology/

一文看懂3D Xpoint！它估將在未來引爆記憶體市場革命
http://news.cnyes.com/news/id/3806848

台積電、三星、英特爾「次世代記憶體」激戰！記憶體市場已前進下一個時代
http://news.cnyes.com/news/id/3793651

挑戰英特爾添火力　台積電五大戰將出列
洋將、跳槽兵團助陣　人才、技術都就定位
http://www.wealth.com.tw/article_in.aspx?nid=9420

台積電擬投資49.1億美元研發先進位程 挖英特爾頂級人才
https://read01.com/Aa4aJN.html





※ 引述《lazy321 ()》之銘言：
: 台積戰三星 攻次世代記憶體
: 晶圓代工大廠台積電和三星的競爭，現由邏輯晶片擴及記憶體市場。台積電這次重返記憶
: 體市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代記憶體，因傳輸速度比一般快
: 閃記憶體快上萬倍，是否引爆記憶體產業的新潮流，值得密切關注。
: 台積電技術長孫元成日前在台積電技術論壇，首次揭露台積電研發多年的eMRAM（嵌入式
: 磁阻式隨機存取記憶體）和eRRAM（嵌入式電阻式記憶體）分別訂明後年進行風險性試產
: ，主要採用22奈米製程，這將是台積電因應物聯網、行動裝置、高速運算電腦和智慧汽車
: 等四領域所提供效能更快速和耗電更低的新記憶體。
: 這也是台積電共同執行長魏哲家向法人表達不會跨足標準型記憶體，不會角逐東芝分割成
: 立半導體公司股權後，台積電再次說明記憶體的戰策布局，將瞄準效能比一般DRAM和儲存
: 型快閃記憶體（NAND Flash）的MRAM和RRAM。
: 稍早三星電子也在一場晶圓廠商論壇中發表該公司所研發的MRAM。三星目前也是全球中率
: 先可提供此次世代記憶體產品的記憶體廠，產品技術時程大幅領先台積電，三星的MRAM並
: 獲恩智浦導入。
: 據了解，台積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代記憶體研發，多年來因難度
: 高，商業化和競爭力遠不如DRAM，導致多家廠商都都僅限於研發。
: 記憶體業者表示，次世代記憶體中，投入研發的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化記憶體
: （PRAM）等三大次世代記憶體，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產的記憶體類
: 型。
: 不過，在DRAM和NAND Flash製程已逼近極限，包括無人車、AI人工智慧、高階智慧型手機
: 和物聯網等要求快速演算等功能，是台積電認為商機即將成熟並決定在2018及2019年提供
: 相關嵌入及整合其他異質晶片技術，進行商業化量產。
: https://money.udn.com/money/story/5612/2504234

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