應材 推全新光照蝕刻系統 - 工程師

全球最大設備廠應用材料宣布推出Applied Centura Tetra Z光罩蝕刻系統，為業界所需
的新一代光微影術光罩蝕刻技術，繼續精進多重曝影尺寸縮放至10奈米以下。

應用材料表示，Centura Tetra Z系統所提供的光罩蝕刻技術，首創能夠進行10奈米以下
四重曝影的解決方案，獨步業界；世界級的光罩蝕刻效能與缺陷控制技術，符合邏輯與記
憶體裝置的先進圖案製程技術要求。

台積電雖然有意在10奈米及7奈米的部份光罩層導入極紫外光（EUV）新技術，但是10奈米
及7奈米的主要微影技術仍會以浸潤式（immersion）多重曝影技術為主。所以，應用材料
此次推出新一代光罩蝕刻系統，可支援10奈米以下，正好符合台積電及英特爾等國際大廠
需求。

應用材料表示，Centura Tetra Z系統透過新機台而再次擴充功能，提供所需的線寬（CD
）參數「埃（angstrom）」等級光罩精密度，滿足未來邏輯與記憶體裝置嚴苛的圖案製程
規格。應用材料光罩蝕刻產品處總經理瑞歐．耶拉曼奇里（Rao Yalamanchili）表示，蝕
刻技術是製造光罩的關鍵，使用193奈米波長來製作10奈米或7奈米的圖案，需要各種最佳
化技術，包括浸潤與多重曝影，高度仰賴光罩的運用。

Centura Tetra Z系統是最先進的光罩蝕刻技術，運用精密材料工程及電漿反應動力學的
精進科技，擴充了193奈米（193nm）微影技術的應用，能為新一代光學光罩蝕刻提供所需
的精確度，製作先進節點設計的圖案。

應用材料針對進階的鉻、矽化鉬（MoSI）、硬質光阻層和石英（熔矽石）蝕刻應用，開發
了Tetra Z工具，以製造先進的二元式與相位移光罩（phase-shift masks），優越的系統
展現了持續的技術創新與前所未見的線寬效能，將浸潤式微影術延伸應用於四重曝影與先
進的解析度強化技術，用以確保圖形轉移保真度的重要功能，包括了針對所有特徵尺寸進
行均勻的線性精密蝕刻，以及近乎零缺陷的圖案密度。

http://www.chinatimes.com/newspapers/20150511000077-260204

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http://en.wikipedia.org/wiki/Selected_area_diffraction

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