晶圓代工誰技術領先? 英特爾:我最強 - 工程師
By Edwina
at 2017-04-02T07:48
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Table of Contents
※ 引述《outzumin (阿呆銘)》之銘言:
: 推 rssh0106: 外星科技對這些大公司不難。難在於外星科技能不能量產。 03/31 23:
28
: → rssh0106: 講難聽一點,MIT的東西也一堆外星科技,但能變成產品嗎 03/31 23:
30
: → rssh0106: ? 03/31 23:
30
: → rssh0106: 不能量產的技術,叫裝飾品。養不起人的。 03/31 23:
30
: 噓 zhi5566: 別在開玩笑了 王者? 那就靠製成打敗高通 nvidia啊 04/01 22:
02
: → zhi5566: 事實就是手機被人屌打+哭著回家說要改做哺哺 不完惹 04/01 22:
03
: → zhi5566: 下單到代工 你以為你在叫飲料啊 裡面藏了多少商業機密 04/01 22:
05
: 推 zhi5566: 光這點註定i設只能幫展訓 一些不重要的二三線打工 還一邊 04/01 22:
06
: 推 zhi5566: 靠背這些公司的能力有夠爛 還要幫忙debug 04/01 22:
06
: → zhi5566: 這些公司若是沒特別突出 i設也就不被當一回事 04/01 22:
08
: → zhi5566: 聽說收購FPGA後 賽琳思業績反而成長 製成王者 好厲害 04/01 22:
16
: → zhi5566: 就是一個用PC思為 到處當凱子的公司 04/01 22:
16
: → zhi5566: 這幾年還得靠裁員撐業績 i最會做沒人用的東西 亡者 04/01 22:
19
: 本來看到GG腦粉的各種秀下限 連打字都有點懶的回了…
: 但周末沒事 大家就來討論討論
: 你們說Intel 專做沒人會採用的技術 我就舉幾個例子
: 你再摸摸你的覽趴 告訴我這些東西有沒有人用
: 2003年Intel當時卡在90nm (GG當時卡在幾nm我懶得查)
: 當時很多學界業界都在研究strained Si 但無一成功
: Intel研發出uniaxial Strained Si channel
: 當時也一堆人也是在喊 這技術就算成功也太貴 不能量產沒人要用 三小的
: 結果Intel導入自己FAB開始生產 三年半後 每間半導體廠都copy此技術成為業界標準
: 2007年 Intel當時卡45nm 因為微縮造成gate穿隧漏電太大
: 業界研究普遍押寶Hi-K gate first process (因為跟當時的製程相容)
: Intel獨排眾議採用gate last + replacement metal gate
: 一開始時 也是一堆人靠北靠木說製成太複雜 太貴不可能量產 GG掰掰的
: 結果Intel自己開始量產3年後 所有半導體廠都copy此技術成為業界標準
: 2009年Intel在32nm 當時的後端製成開始變成chip 微縮的瓶頸
: Intel開始採用self-aligned via flow
: 三年半後每間半導體廠都copy此技術
: 2011年Intel在22nm 為了進一步增加電晶體密度及降低漏電
: Intel開始採用tri-gate結構 (也就是今日的FinFET)
: 在此之前學界早就提出tri-gate 但當時目光短淺的人也是喊不可能量產啦 太貴啦三小
的
: 只有Intel決定這就是晶片製造未來必須走的方向
: 結果在Intel開始量產3年後 又是一樣的結果 GG開始copy
: (也就是GG所謂的16nm 但密度卻沒比自己的22nm planar MOSFET高多少)
: 而三爽花了更久時間才搞出14nm FinFET 自爆晶片 轟動全球
: 2014年 Intel開始推出第2代FinFET technology 採用SADP 進一步提高密度及效能
: (這不是Intel發明的 但卻是第一個用在邏輯製成來量產的)
FINFET發明人胡正明曾是GG技術長
怎麼不說intel學人精
另外沒有林本堅提出的immersion
intel還卡在60/65等EUV吧 廠廠
: 再Intel 量產了三年後 在本年度GG要推出的10nm FinFET “預期”會採用此技術
: (也有可能不會 繼續採用原本的多重曝光製程 而在下一代直接跳EUV)
: 今天講這些不是要吹噓Intel有多成功 畢竟有成功就會有失敗
: WIMAX, mobile 都是讓Intel栽了不小的跟斗
: 繪圖晶片intel也是太晚才起步 以及太固執再X86而失去先機
: 這些失敗例子大家都知道 R&D本來就是一種投資
: 而投資有賺就有賠 誰能保證投資只賺不賠
: 你們這種嘲笑Intel投資失利的思維 跟標準台灣慣老闆有何不同
: 難怪台灣沒有真正的RD
: 回歸正題 到半導體製程的技術開發上
: Intel在這領域的貢獻 不是你們幾個無知的學生腦粉喊喊就可以被忽略的
: 如果你們是GG的員工 那我只能替GG感到悲哀
: 竟然請到這種素質的 連做點基本功課都不會 摳聯捏
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: 推 rssh0106: 外星科技對這些大公司不難。難在於外星科技能不能量產。 03/31 23:
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: → rssh0106: 講難聽一點,MIT的東西也一堆外星科技,但能變成產品嗎 03/31 23:
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: 噓 zhi5566: 別在開玩笑了 王者? 那就靠製成打敗高通 nvidia啊 04/01 22:
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: 推 zhi5566: 靠背這些公司的能力有夠爛 還要幫忙debug 04/01 22:
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: → zhi5566: 這些公司若是沒特別突出 i設也就不被當一回事 04/01 22:
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: 本來看到GG腦粉的各種秀下限 連打字都有點懶的回了…
: 但周末沒事 大家就來討論討論
: 你們說Intel 專做沒人會採用的技術 我就舉幾個例子
: 你再摸摸你的覽趴 告訴我這些東西有沒有人用
: 2003年Intel當時卡在90nm (GG當時卡在幾nm我懶得查)
: 當時很多學界業界都在研究strained Si 但無一成功
: Intel研發出uniaxial Strained Si channel
: 當時也一堆人也是在喊 這技術就算成功也太貴 不能量產沒人要用 三小的
: 結果Intel導入自己FAB開始生產 三年半後 每間半導體廠都copy此技術成為業界標準
: 2007年 Intel當時卡45nm 因為微縮造成gate穿隧漏電太大
: 業界研究普遍押寶Hi-K gate first process (因為跟當時的製程相容)
: Intel獨排眾議採用gate last + replacement metal gate
: 一開始時 也是一堆人靠北靠木說製成太複雜 太貴不可能量產 GG掰掰的
: 結果Intel自己開始量產3年後 所有半導體廠都copy此技術成為業界標準
: 2009年Intel在32nm 當時的後端製成開始變成chip 微縮的瓶頸
: Intel開始採用self-aligned via flow
: 三年半後每間半導體廠都copy此技術
: 2011年Intel在22nm 為了進一步增加電晶體密度及降低漏電
: Intel開始採用tri-gate結構 (也就是今日的FinFET)
: 在此之前學界早就提出tri-gate 但當時目光短淺的人也是喊不可能量產啦 太貴啦三小
的
: 只有Intel決定這就是晶片製造未來必須走的方向
: 結果在Intel開始量產3年後 又是一樣的結果 GG開始copy
: (也就是GG所謂的16nm 但密度卻沒比自己的22nm planar MOSFET高多少)
: 而三爽花了更久時間才搞出14nm FinFET 自爆晶片 轟動全球
: 2014年 Intel開始推出第2代FinFET technology 採用SADP 進一步提高密度及效能
: (這不是Intel發明的 但卻是第一個用在邏輯製成來量產的)
FINFET發明人胡正明曾是GG技術長
怎麼不說intel學人精
另外沒有林本堅提出的immersion
intel還卡在60/65等EUV吧 廠廠
: 再Intel 量產了三年後 在本年度GG要推出的10nm FinFET “預期”會採用此技術
: (也有可能不會 繼續採用原本的多重曝光製程 而在下一代直接跳EUV)
: 今天講這些不是要吹噓Intel有多成功 畢竟有成功就會有失敗
: WIMAX, mobile 都是讓Intel栽了不小的跟斗
: 繪圖晶片intel也是太晚才起步 以及太固執再X86而失去先機
: 這些失敗例子大家都知道 R&D本來就是一種投資
: 而投資有賺就有賠 誰能保證投資只賺不賠
: 你們這種嘲笑Intel投資失利的思維 跟標準台灣慣老闆有何不同
: 難怪台灣沒有真正的RD
: 回歸正題 到半導體製程的技術開發上
: Intel在這領域的貢獻 不是你們幾個無知的學生腦粉喊喊就可以被忽略的
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