美光控告聯電侵害營業秘密 我國二審判聯 - 轉職
By Erin
at 2022-01-27T17:49
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美光控告聯電侵害營業秘密 我國二審判聯電罰金2000萬
https://bit.ly/3fZbxgr
美國美光 (Micron) 控告聯電,主張聯電透過挖角美光前員工,竊取美光的營業祕密案件
。我國智慧財產法院於2022年1月27日撤銷原判決,改判聯電協理戎樂天無罪、美光前主
管何建廷和王永銘6個月至1年不等徒刑,得緩刑;聯電則處罰金2000萬,緩刑2年。全案
可上訴。
聯電公司原未設置光罩下線組及離子植入專業人員,因被告王永銘提供美光DR25nmS設計
規則製程予聯電公司後,開發F32 DRAM設計規則,略過光學近階干擾修正、蝕刻及黃光等
過程測試,將設計規則完成,交由晶片設計廠商進行下一階段設計,降低製作設計規則所
需時間、金錢、設備及人力成本。
美光科技2017年控告晶圓代工大廠聯電,主張聯電透過挖角美光前員工,竊取美光的營業
祕密,並協助福建晉華開發動態隨機存取記憶體DRAM製程,何建廷、王永銘等美光前主管
更帶槍投靠跳槽至聯電,因此在2017年下半年,分別在台中地方法院檢察署與美國司法部
控告聯電侵害營業秘密。後來雙方2021年11月達成全球和解協議。
原先,台中地院2020年一審依營業秘密罪嫌判處:
戎樂天6年6月徒刑,併科罰金600萬元;
王永銘4年6月,併科罰金400萬元;
何建廷5年6月徒刑,併科罰金500萬元,另外聯電則被處罰金1億元。
現在,智慧財產法院改判:
戎樂天涉嫌違反營業秘密部分,公訴不受理;
王永銘6月徒刑,併科罰金200萬元,緩刑2年,緩刑期間內付保護管束,並提供100小時義
務勞務;
何建廷1年徒刑,併科罰金100萬元,緩刑4年,並提供200小時義務勞務;聯電被處罰金
2000萬元,緩刑2年。
智慧財產法院指出,美光公司與員工簽訂有聘僱合約與保密及智慧財產合約,何建廷、王
永銘與美光公司簽有保密及智慧財產權合約,應已知悉公司保護營業秘密相關規範,但2
人卻為轉職利益,分別由何建廷不為刪除、銷毀美光公司營業秘密進而重製、使用,另外
王永銘也擅自重製美光公司營業秘密,提供DR25nmS設計規則參數數值,洩漏給聯電主管
戎樂天,影響美光公司權益甚大。
另外,戎樂天雖知悉王永銘持有美光公司DR25nmS設計規則及其離子植入等參數跳槽,並
將該資料轉為推動聯電公司開發F32奈米DRAM技術用途,不過智財法院認為,戎樂天並未
參與聯電與晉華兩家公司議約與合作過程,尚不足認戎樂天有於中國大陸地區使用本案營
業秘密意圖。
智財法院認為,聯電和美光已達成和解,美光已具狀對本案撤回告訴,對於非告訴乃論部
分,對被告從輕量刑判決結果無意見,且何建廷、王永銘已認罪,聯電也積極謀求補償,
故認三者應知所警惕,而無再犯之虞,因此都給予緩刑。
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https://bit.ly/3fZbxgr
美國美光 (Micron) 控告聯電,主張聯電透過挖角美光前員工,竊取美光的營業祕密案件
。我國智慧財產法院於2022年1月27日撤銷原判決,改判聯電協理戎樂天無罪、美光前主
管何建廷和王永銘6個月至1年不等徒刑,得緩刑;聯電則處罰金2000萬,緩刑2年。全案
可上訴。
聯電公司原未設置光罩下線組及離子植入專業人員,因被告王永銘提供美光DR25nmS設計
規則製程予聯電公司後,開發F32 DRAM設計規則,略過光學近階干擾修正、蝕刻及黃光等
過程測試,將設計規則完成,交由晶片設計廠商進行下一階段設計,降低製作設計規則所
需時間、金錢、設備及人力成本。
美光科技2017年控告晶圓代工大廠聯電,主張聯電透過挖角美光前員工,竊取美光的營業
祕密,並協助福建晉華開發動態隨機存取記憶體DRAM製程,何建廷、王永銘等美光前主管
更帶槍投靠跳槽至聯電,因此在2017年下半年,分別在台中地方法院檢察署與美國司法部
控告聯電侵害營業秘密。後來雙方2021年11月達成全球和解協議。
原先,台中地院2020年一審依營業秘密罪嫌判處:
戎樂天6年6月徒刑,併科罰金600萬元;
王永銘4年6月,併科罰金400萬元;
何建廷5年6月徒刑,併科罰金500萬元,另外聯電則被處罰金1億元。
現在,智慧財產法院改判:
戎樂天涉嫌違反營業秘密部分,公訴不受理;
王永銘6月徒刑,併科罰金200萬元,緩刑2年,緩刑期間內付保護管束,並提供100小時義
務勞務;
何建廷1年徒刑,併科罰金100萬元,緩刑4年,並提供200小時義務勞務;聯電被處罰金
2000萬元,緩刑2年。
智慧財產法院指出,美光公司與員工簽訂有聘僱合約與保密及智慧財產合約,何建廷、王
永銘與美光公司簽有保密及智慧財產權合約,應已知悉公司保護營業秘密相關規範,但2
人卻為轉職利益,分別由何建廷不為刪除、銷毀美光公司營業秘密進而重製、使用,另外
王永銘也擅自重製美光公司營業秘密,提供DR25nmS設計規則參數數值,洩漏給聯電主管
戎樂天,影響美光公司權益甚大。
另外,戎樂天雖知悉王永銘持有美光公司DR25nmS設計規則及其離子植入等參數跳槽,並
將該資料轉為推動聯電公司開發F32奈米DRAM技術用途,不過智財法院認為,戎樂天並未
參與聯電與晉華兩家公司議約與合作過程,尚不足認戎樂天有於中國大陸地區使用本案營
業秘密意圖。
智財法院認為,聯電和美光已達成和解,美光已具狀對本案撤回告訴,對於非告訴乃論部
分,對被告從輕量刑判決結果無意見,且何建廷、王永銘已認罪,聯電也積極謀求補償,
故認三者應知所警惕,而無再犯之虞,因此都給予緩刑。
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at 2022-01-23T22:16
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