重回摩爾定律兩大武器 EUV＋三五族成大 - 工程師

Edward Lewis avatar
By Edward Lewis
at 2016-04-11T10:47

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我還真的認真去找相關新聞....

還真的不少InGaAs on Silicon的相關技術研究

http://electroiq.com/blog/2015/10/2015-iedm-slide-7-ingaas-nanowire-fets-on-silicon/
縮:http://tinyurl.com/zfczyp4

http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1326904

http://wccftech.com/intel-abandoning-silicon-7nm/

懶得翻譯了 有興趣的應該自然看得懂...

看起來過個幾年Si通道會被換掉的機會相當高



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All Comments

Todd Johnson avatar
By Todd Johnson
at 2016-04-11T22:31
目前業界的共識是NMOS採用InGaAs, PMOS採用Ge
Anthony avatar
By Anthony
at 2016-04-15T19:11
另外要把這薄博的一層InGaAs or Ge 放在Si上，目前除非用
Rebecca avatar
By Rebecca
at 2016-04-19T12:11
轉印的，不然用磊晶的方式都不是很好的方法，(有buffer層)
William avatar
By William
at 2016-04-21T13:38
不考慮材料on Si的話, 其實三五族的Fin FET都有人弄出來了
Eartha avatar
By Eartha
at 2016-04-23T01:34
但是不一定是E-mode就是了，降低Dit還是很大的困難點
Poppy avatar
By Poppy
at 2016-04-24T02:55
各位專業的大大，這樣的作法近期可以很快的應用到產業上
Noah avatar
By Noah
at 2016-04-25T09:47
嗎？還是還有一段時間?

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By Ina
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By Adele
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Jessica avatar
By Jessica
at 2016-04-11T00:49
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