關於DRAM工程師與一般邏輯電路廠的差別 - 工程師

※ 引述《cookies12 (餅乾的餅乾藏在餅乾盒裡)》之銘言：
: 想請問一下
: DRAM場跟一般邏輯電路廠(台積、聯電)
: 學到的半導體製程是很不一樣的嗎，就是不能跳來跳去這樣?
: 還有就是邏輯做到22nm，DRAM是沒做到那麼小嗎?

不一樣喔！

其實，不只有老手，很多剛進半導體業的新手常會搞不清楚所謂的「XX製程」
這個專有名詞。

我們常說的90/65/45/32...奈米製程，這些指的是製程世代/節點
(technology generation/node。)

對邏輯產品而言，指的是電路佈局上的閘極寬度(gate length)
對DRAM產品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width)
對Flash產品而言，指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離

以上，所以不能混為一談。
對於記憶體產品而言，他們所重視的是「元件」或是所謂的記憶體細胞(cell)，就是
前端製程部份，畢竟，這些cell才是記憶體產品的重點，好比絢櫻的右手邊衣袖上的
櫻花蝦吊飾才是本體，但大家都以為是少女...。而且，週邊電路也不可用到如此小pitch
這點跟邏輯產品非常不同。


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在臺灣，何謂R&D工程師?
1.Reverse and Decap :IC反向工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。
2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。
3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話！
4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就要有schedule delay的準備！
但是外派到大陸的臺灣郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割！

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