供應商出包 損台積逾萬片晶圓 - 工程師

看新聞說是光阻有問題
一般而言，如果是光阻的問題，會有可能反應在1.CD 2.defect上。

正常來說，若是critical layers，些微的CD變化都會被逮到，因此我認為是critical la
yers 的機率並不高。

再來是non-critical layers
這些多半對CD不敏感，甚至幾個nm到10幾nm的偏差，都是屬於正常範圍。這種清況下，就
算CD飄一點，可能都還在control limit 內，不一定會low yield。

最有可能的是scum，也就說曝光顯影後，還有殘渣。如果是光阻厚度變薄，或是peeling
，defect scan/review就會逮到。因此，推測scum的機率大。
若是ETCH layers，scum可能會有defect scan看不的的bridge (被structure)擋住，掃不
到。
如果是IMP layer，打進去的離子濃就變低，電性上就可能是low yield。

如果真的是光阻出問題，我猜問題大概是這樣。

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